Из рис.12 видно, что:
1) установившееся значение
;
) демпфирование колебаний
наступает
при q = 24;
) при малых кратностях
квантования колебания
возрастают,
достигая размаха 0,37 - 0,6.
При ДРМ искажениях удваиваются. На рис.13
представлена характеристика частотно зависимого коэффициента квадратичного
отклонения.
Рис.13
Литература
1. Ямпурин Н.П. Электроника. - М.: Академия, 2011
2. Воронков Э.Н. Твердотельная электроника. - М.: Академия, 2010
. Гуртов В.А. Зарядоперенос в структурах с диэлектрическими слоями. - Петрозаводск: ПетрГУ, 2010
. Дрейзин В.Э. Управление качеством электронных средств. - М.: Академия, 2010
. Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН: Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике. - М.: Техносфера, 2010
. Ямпурин Н.П. Основы надежности электронных средств. - М.: Академия, 2010
. Под ред. А.А. Орликовского; Рец.: А.Ф. Александров, А.А. Горбацевич: Наноэлектроника. - М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009
. Под ред.: А.А. Кураева, Д.И. Трубецкого; А.В. Аксенчик и др. Методы нелинейной динамики и теории хаоса в задачах электроники сверхвысоких частот. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2009
. Шишкин Г.Г.: Электроника. - М.: Дрофа, 2009
. А.Н. Диденко и др.; Под ред. И.Б. Фёдорова: Вакуумная электроника. - М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2008
. Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Физматлит, 2008
. Шматько А.А. Электронно-волновые системы миллиметрвого диапазона. - Харьков: ХНУ им. В.Н. Каразина, 2008
. Московский гос. ин-т стали и сплавов, Саратовский гос. ун-т им. Н.Г. Чернышевского; под ред. Л.В. Кожитова: Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. - М.: МИСиС, 2007
. Федеральное агентство по образованию, Московский гос. ин-т стали и сплавов (Технологический ун-т), Саратовский гос. ун-т им. Н.Г. Чернышевского ; под ред. Л.В. Кожитова ; авт-сост.: В.П. Менушенков и др.: Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. - М.: МИСиС, 2007.