Материал: 2072

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Эта сила уравновесит силу Лоренца, направленную по радиусу. Из этих двух соотношений

r meV0 eB .

Таким образом, чем больше индукция магнитного поля, тем меньше радиус траектории.

Если вектор начальной скорости электрона V0 не перпендикулярен B,

то вектор V будет иметь две составляющие (рис. 2.7). Одна будет перпен-

дикулярна B, например, параллельна оси Y, другая – параллельна B.

Составляющая скорости Vx , на-

y

_

_

правленная по оси X ,

остается не-

B

изменной, так как сила Лоренца

_

V0

Vy

e _

 

действует только по оси Z . Поэтому

 

в направлении оси

X

электрон

 

_Fл

 

движется с постоянной

скоростью

 

Vx

 

Vx . Результирующее движение про-

0

 

x

исходит по винтовой линии (по спи-

 

 

 

рали).

 

 

z

 

 

Такой закон движения электрона

 

 

в магнитном поле наблюдается в ЭВ

Рис. 2.7. Свободное движение электрона

приборах, называемых магнетрона-

 

в магнитном поле

ми, которые широко используются

 

 

 

как генераторы СВЧ в радиолокации и других областях техники.

2.4. Эффект Холла

Для пояснения физического процесса эффекта Холла рассмотрим явления, происходящие в плоской полупроводниковой пластине, обладающей электронной проводимостью и имеющей длину а, ширину b и толщину d (рис. 2.8). На пластину в перпендикулярном направлении действует магнитное поле, напряженность которого определяется вектором магнитной индукции B, а в продольном направлении протекает ток i1, обусловленный напряженностью электрического поля E1, внешнего источника. Магнитное поле, воздействуя на движущиеся со средней скоростью v электроны, отклоняет их в поперечном направлении оси у. В результате этого на одной из поперечных граней будут накапливаться электроны, а на противоположной – нескомпенсированный положительный заряд. Накопление зарядов на противоположных гранях пластинки приводит к появлению поперечного электрического поля с напряженностью E2, которое получило название поля Холла. Процесс накопления зарядов на противоположных

11

гранях пластины будет происходить до тех пор, пока сила Лоренца F1, действующая на электроны за счет магнитного поля В, не уравновесит силу F2, действующую на электроны за счет электрического поля Е2. После этого установится стационарный процесс, при котором электроны движутся параллельно граням пластины, как и при отсутствии магнитного поля. Заметим, что сказанное справедливо для электронов, обладающих средней скоростью движения. Условие равновесия сил F1=F2 запишется следующим образом:

 

e[ν×В]=еЕ2,

(2.1)

где е – заряд электрона, равный 1,602·10-19 Кл.

z

B

i2

y

 

x

u2

b

a

u1

i1

u12

Рис. 2.8. Нормальный эффект Холла

Если учесть, что векторы ν и В взаимно перпендикулярны, то из (2.1) получим

Е2= νВ.

(2.2)

Подставляя в (2.2) значение

 

ν=μЕ1,

(2.3)

где μ – холловская подвижность носителей зарядов, имеем

 

Е2=μЕ1В.

(2.4)

Выразим Е1 через плотность тока j1 и электропроводность σ:

 

Е1= j1/σ = j1/еnμ,

(2.5)

где n – концентрация носителей электронов.

 

12

Подставив (2.4) в (2.5), получим

Е2=(1/еn)j1В = Rhj1В.

(2.6)

Коэффициент Rh получил название коэффициента Холла (распространен также термин «постоянная Холла», что не совсем правильно, так как Rh даже для данного материала не является постоянной величиной, а зависит от ряда факторов, в частности от индукции и температуры).

Выражение (2.6) получено для полупроводникового материала с электронной проводимостью. Для полупроводникового материала со смешанной проводимостью, т.е. при наличии в нем дырок и электронов, те и другие отклоняются магнитным полем к одной и той же грани образца, так как под действием внешнего электрического поля Е1 эти заряды движутся в противоположных направлениях. Поперечные поля, созданные накоплением дырок и электронов, будут взаимно ослаблять друг друга и результирующее холловское поле окажется меньшим, чем в полупроводниках с одним типом носителей. Его значение в этом случае будет определяться выражением

E

2

~ 2n p j

B e n p 2 ,

(2.7)

 

1

 

 

где β = μnp – отношение подвижностей электронов и дырок; n и p – концентрация электронов и дырок; α – постоянная, зависящая от механизма рассеяния носителей заряда.

Таким образом, эффект Холла более резко выражен в полупроводниках, где преобладают носители зарядов одного знака. Поскольку подвижность электронов μn обычно выше подвижности дырок μp, то эффект Холла

вполупроводниках с электронной проводимостью значительно выше, чем

вполупроводниках с дырочной проводимостью. В металлах и диэлектри-

ках подвижность носителей не превышает десятков сантиметров квадратных на вольт в секунду [см2/(В·с)], в то время как у антимонида индия подвижность достигает 80 000 см2/(В·с). Поэтому в металлах эффект Холла проявляется значительно слабее, чем в полупроводниках.

Если учесть, что продольный ток через пластину i1 = j1bd, а поперечное напряжение u20 = E2b, то (2.6) можно записать в следующем виде:

u2 Rhi1B 1 d .

(2.8)

Отношение Rh/d = 20 носит название удельной чувствительности ненагруженного идеального преобразователя Холла. Под идеальным понимается прямоугольный преобразователь Холла, имеющий бесконечно большую длину в продольном направлении и точечные холловские элек-

13

троны. Реальный преобразователь Холла, имеющий конечные геометрические размеры, также характеризуется удельной чувствительностью в режиме холостого хода:

 

'

 

20

.

(2.9)

 

20

 

1

 

Коэффициент 1 зависит от соотношения геометрических размеров и значения магнитной индукции. Напряжение реального ненагруженного преобразователя Холла можно представить уравнением

u20 '20 i1B.

(2.10)

С учетом того, что en , коэффициент Холла можно выразить через подвижность и электропроводность:

Rh 1 ne .

(2.11)

Полученное выражение для коэффициента Холла в общем случае не совсем точно, так как при его выводе не учитывались распределение электронов по скоростям, механизм рассеяния носителей, разница между полной скоростью электронов и дрейфовой скоростью, которую электрон приобретает под действием электрического поля. Для уточнения значения коэффициента Холла в выражение (2.11) следует добавить множитель rh , получивший название Холл-фактора:

R

 

r

1

r

 

.

 

 

 

 

h

h ne

h

3.ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

3.1.Строение и энергетические уровни атомов. Возбуждение атома, ионизация, рекомендация. Энергетические уровни проводников,

полупроводников, диэлектриков

Согласно квантовой теории, электроны атома могут обладать только строго определенными (разрешенными) значениями энергии. При температуре T 0 K самой слабой связью с ядром атома и самой высокой энергией обладают электроны последней оболочки (валентные электроны). При возбуждении атома (при получении валентными электронами строго определенной порции энергии извне, равной разности значений между энергией свободного и занятого уровней) электрон переходит на более высокий уровень. Возбужденное состояние очень неустойчиво, время его существования около 10 8 с. По истечении этого времени электрон возвра-

14

щается на исходный уровень, при этом выделяется квант электромагнитного излучения, независимо от того вида энергии, под действием которого произошло возбуждение.

Если количество поглощенной электроном энергии велико, то электрон совсем отрывается от атома, становится свободным, то есть происходит ионизация атома. Атом расщепляется на положительный ион и свободный электрон. Обратный процесс – рекомбинация – сопровождается выделением избытка энергии в виде кванта электромагнитного излучения, энергия которого такая же, как и энергия ионизации.

Распределение электронов по энергетическим уровням носит название диаграммы энергетических уровней или энергетической диаграммы

(рис. 3.1).

При образовании кристаллов твердого тела возникает взаимодействие между атомами кристаллической решетки. В результате разрешенные уровни энергии электронов как бы расщепляются на ряд близко расположенных уровней, образуя энергетические зоны (рис. 3.2). Верхняя зона, которая называется валентной, полностью занята электронами только при температуре абсолютного нуля (T 0 K ).

эВ W Разрешенные уровни

энергии электронов в отдельном атоме

эВ W Разрешенные энергетические зоны электронов в кристалле

Рис. 3.1. Энергетическая диаграмма

Рис. 3.2. Расщепление энергетических

одиночного атома

уровней атома кристалла

Разрешенные более высокие уровни энергии, не занятые электронами при T 0 K , образуют свободную зону. В этой зоне могут находиться электроны, вышедшие из валентной зоны, получившие дополнительную энергию. Эти электроны участвуют в создании электрического тока под действием приложенного к кристаллу напряжения и называются свободными, а свободная зона называется зоной проводимости.

В различных по характеру электропроводимости веществах валентная зона и зона проводимости либо примыкают друг к другу (например, в ме-

15

Источник: https://studfile.net/preview/16408129/