ширины базы и подвижности инжектированных дырок. Он назы вается временем прохождения базы или временем запаздывания сигнала. У сплавных транзисторов это время получается порядка сотых долей микросекунды (десятки наносекунд). Для уменьше ния времени запаздывания сигнала необходимо применять тран зисторы с возможно меньшей шириной базы.
В момент /2 инжектированные дырки начинают подходить к коллекторному переходу и перебрасываться его электрическим по
лем в |
область коллектора. |
Поэтому ток iK |
постепенно возрастает, |
а ток |
/б в такой же степени |
уменьшается. |
Закон плавного измене |
ния этих токов похож на экспоненциальный. Объясняется это тем,
что |
инжектированные дырки движутся сквозь базу |
сплавного |
транзистора по |
законам |
диффузии. |
Следовательно, их |
скорости |
и пути различны. В соответствии с изменениями тока iK |
происхо |
дит изменение напряжения на коллекторе. |
|
В момент 4 переходный процесс в транзисторе заканчивается. |
Токи |
коллектора |
и базы |
становятся |
постоянными. При |
этом ток |
базы может быть заметно больше тока /б.п- Объясняется это по вышенным уровнем инжекции.
В .момент t4 входное напряжение исчезает и процесс инжек ции прекращается. Ток эмиттера мгновенно спадает до исходного значения. На такую же величину скачком изменяется ток базы. Его направление становится противоположным. Ток коллектора и почти равный ему ток базы остаются неизменными до тех пор, пока происходит процесс ухода основного количества неравновес ных носителей заряда из базы. При этом дырки уходят в коллек тор, а электроны — через вывод базы. Упрощенно этот процесс называют рассасыванием избыточных дырок.
Продолжительность данного процесса может быть весьма раз личной. Это зависит от типа транзистора и режима работы вход ной цепи усилителя. В большинстве случаев время рассасывания заметно превышает время запаздывания сигнала. Следствием этого является увеличение длительности выходных импульсов по
сравнению с |
входными. |
В момент |
ts начинается быстрое уменьшение оставшихся в базе |
неравновесных носителей зарядов и оба тока одновременно умень шаются.
Напряжение на коллекторе возрастает, приближаясь к напря
жению |
£ к . |
В момент t$ ток базы меняет свое направление. Он снова вы |
текает |
из транзистора. С момента t7 все токи транзистора практи |
чески |
постоянны. |
Из приведенного качественного объяснения физических про цессов, происходящих в импульсном усилителе, видно, что при его количественном анализе необходимо учитывать эффект накоп ления и рассасывания неравновесных носителей зарядов в базе транзистора. Экспоненциальный характер этих процессов учиты вается на эквивалентной схеме усилителя емкостями эмиттерного и коллекторного переходов.