а
Рис. 4.28. Схемы разрыва контура заземления при помоши нейтрализующего трансформатора: а - физическое представление, б - эквивалентная схема
Рис 4 29. Простой способ введения в схему нейтрализующего трансформатора (вместо показанных на рисунке проводников
Рис. 4.30. Схема разрыва контура заземления с использованием оптронной пары
236
4.5.6.Устройства защиты радиоприемника от мощных импульсных помех
Вряде случаев на радиоприемник (или другой рецептор
снизким уровнем входного сигнала) действуют кратковремен
ные помехи в виде единичных импульсов или импульсных после довательностей большой скважности. Помехи большой интенсив ности могут либо вывести из строя активные элементы входных каскадов, либо в результате последействия помехи привести к на рушению его работоспособности в течение более длительного ин тервала времени, превышающего длительность мешающего воз действия. Примером таких ситуаций является воздействие на ра
диоприемник электромагнитного импульса (ЭМИ). Это импульс высотного ядерного взрыва или мощный импульс, создаваемый
специальными средствами подавления радиоэлектронного обо рудования. Пример менее интенсивного воздействия, не приво
дящего к выводу из строя, но вызывающего нарушение работы - облучение антенны радиоприемника ЭМП близко расположен ной мощной РЛС.
Вкачестве схемотехнических мер ослабления влияния ука
занных электромагнитных помех используются различные уст ройства, ограничивающие максимальное значение напряжения или мощности электромагнитной волны на входе рецептора. В зависимости от целевого назначения и диапазона частот схем ные решения и элементная база могут значительно отличаться. Однако существо мер остается неизменным: в тракт сигнала вво дится специальная схема, содержащая нелинейный элемент со
свойствами ограничения напряжения (аналог стабилитрона), либо
сключевыми свойствами. В качестве этих элементов применяют ся специальные газоразрядные приборы, а также полупроводни ковые элементы. В последнее время для этих целей предложены новые элементы - нелинейные ограничители напряжения с ок- сидно-цинковыми резисторами, обладающими повышенным бы стродействием. Применение их позволяет защитить аппаратуру от мощных импульсов вплоть до наносекундной длительности (рис. 4.31).
237
▲
max и
в
Рис. 4.31. Ограничение мощности помех.
а - схема включения НЭ. б, в - амплитудные характеристики нелинейных элементов различного типа
4.6. Конструкторско-технологические меры обеспечения ЭМС
4.6.1. Существо и особенности конструкторско-технологических мер
Цель принятия конструкторско-технологических мер обеспе чения ЭМС состоит в снижении уровней создаваемых помех ИП, восприимчивости рецепторов помех и повышении затухания элект ромагнитных полей на путях распространения от ИП к РП. В отли чие от системо- и схемотехнических мер. они не затрагивают ни прин цип действия устройств, ни их принципиальных схем, ни, соответ ственно, функциональных параметров. В отличие от обобщающего американского термина «design» в отечественной классификации различают понятия «проектирование», «конструирование» и «тех нология производства». Конструкторско-технологические меры ЭМС относятся к двум последним. С позиций использования ра диочастотного ресурса конструкторско-технологическими мерами обеспечивается сокращение протяженности занимаемых областей с целью обеспечения соответствия параметров, отвечающих конк ретным требованиям на ЭМС, нормативным требованиям, либо обеспечения значений, определенным на этапе проектирования.
Используемые в практике обеспечения ЭМС конструкторс ко-технологические меры представлены двумя группами. Первую из них представляют различные приемы, относящиеся к выполне нию технических средств, в том числе к их конструкции и техноло гии изготовления. Состав этой группы весьма широк:
-электрические контакты;
-уплотнительные элементы;
238
-низкочастотные и радиочастотные соединители;
-корпуса электромагнитных экранов и устройств с экраниру ющими свойствами, в том числе способы соединения их элементов;
-устройства заземления;
-способы монтажа, в том числе на новой основе (например, тканого монтажа) - выполнение монтажных соединений (и элект рических соединений в пределах платы), используемых проводя щих и изолирующих материалов, покрытий и т.д.
Реализация на практике приемов этой группы составляет пред мет профессиональной деятельности инженеров-конструкторов и инженеров-технологов, осуществляющих конструирование и под готовку к производству изделий (технических средств) с учетом тре бований ЭМС. Сведения о содержании конкретных приемов этой группы содержатся в источниках соответствующего профиля (некоторые сведения о предмете можно найти в литературе [/£1 Я-
Ко второй группе относятся специальные конструкторские приемы, служащие целям обеспечения ЭМС на соответствующем уровне. К числу этих приемов относятся:
-экранирование элементов и блоков РЭА;
-экранирование проводников:
-заземление;
-группирование проводников в межблочных соединениях;
-зонирование элементов и компоновка их на плате, в уст ройстве и т.д.
Использование указанных приемов также относится к облас ти профессиональной деятельности инженеров-конструкторов. Однако начальные сведения о содержании этих мер полезны и спе циалистам, занятым проектированием и эксплуатацией техничес ких средств. Поэтому далее кратко приведем необходимые сведе ния о существе и особенностях указанных приемов.
4.6.2. Экранирование элементов и блоков РЭС
Физические принципы электромагнитного экранирования
Целью экранирования является ослабление электромагнитного поля в ограниченной части пространства или, наоборот, в окружающем пространстве, если источник помех находится внут-
239
ри экрана. Защитное действие экрана обычно характеризуется эф фективностью экранирования L3 — личиной, характеризующей ослабление электромагнитного поля в экранируемой области про странства. В зависимости от размеров экрана г3, длины волны Л., расстояния между источником ЭМП и точкой наблюдения в экра нируемой области г, а также типа источника эта величина опреде ляется различным образом. Если размеры экрана и расстояние г значительно меньше длины волны (г < Х/2л), эффективность экра
нирования определяется раздельно для электрического
£ээ = 20фо/£э| |
(4.31) |
и магнитного полей |
|
£эы=201ё|Яо/Яэ|, |
(4 32) |
где Ео, Но. Ези Нз- значения напряженности электрического и маг нитного полей в точке наблюдения без экрана и при наличии его соответственно.
Различие связано с тем. что в зависимости от типа ИП в элек тромагнитном поле ближней зоны преобладает энергия электри ческого или магнитного поля, а действие экрана по отношению к электрическому или магнитному полю различно. В большинстве
zпрактических ситуаций эти случаи соответствуют относительно низкочастотным электромагнитным полям Поэтому во многих руководствах по экранированию электромагнитных полей эти слу
чаи рассматриваются как экранирование на низких частотах.*
Когда размеры экрана, расстояние г и длина волны соответ ствуют условию дальней зоны, различие между величинами £ээ и £эм исчезает. Эффективность экранирования равна:
£ээ=201ё|£о/£э| = 20^|Яо/Яэ| = 101§По/Пэ, |
(4.33) |
где По и Пэ - значения плотности потока мощности без экрана и при его наличии соответственно.
*В литературе часто используются термины «экранирование электричес кого поля» и «экранирование магнитного поля». Следует обратить внимание на некорректность подобных формулировок: согласно фундаментальным положе ниям электромагнетизма электрические и магнитные поля раздельно могут су ществовать только в виде статических полей
240