А |
|
К |
1 |
К |
УЭ |
p2 n2 |
|
|
|||
2 |
|
|
|||
p1 n1 |
|
n2 |
|
||
|
a |
|
|
|
|
|
|
3 |
p2 |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n1 |
|
|
|
|
|
p1 |
|
А |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
б |
|
Рис. 7.1. Тиристор: а – упрощенная структура динистора; |
|
||||
|
б – схематическое устройство тринистора |
|
|||
|
(1 – алюминий; 2 – молибден; 3 – золото (сурьма); |
|
|||
|
А – анод; К – катод; УЭ – управляющий электрод) |
|
|||
VS1 |
VS2 |
VS3 |
VS4 |
VS5 |
VS6 |
УЭ |
|
|
|
|
УЭ |
а |
б |
в |
г |
д |
е |
Рис. 7.2. Условные графические и позиционные обозначения тиристоров: а – диодный тиристор (динистор); б и в – незапираемые тиристоры с выводом от р- и п-областей;
ги д – запираемые тиристоры с выводами из р- и п-областей;
е– симметричный тиристор (симистор)
IА |
|
IА |
|
_ |
А |
|
|
|
А |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
p1 |
RH |
|
|
p1 |
- - |
|
|
p1 |
|
|
|
|
- - |
|
|
|
|
|
|||
n1 |
|
RH |
П1 |
++++ Uобр |
|
П1 |
n1 |
Uпр |
|
|
|
ЕА |
П2 |
n1 |
Uпр |
UАК<0 |
П2 |
|
Uобр |
UАК>0 |
|
p2 |
ЕА |
p2 |
|
|||||||
|
|
VS1 |
|
- - - - |
|
|
p2 |
|
|
|
n2 |
|
П3 |
++++ Uобр |
|
П3 |
Uпр |
|
|||
|
|
|
n2 |
|
|
|
n2 |
|
|
|
|
|
|
|
+ |
К |
|
|
|
К |
|
a |
|
б |
|
в |
|
|
|
г |
|
|
Рис. 7.3. Схема включения диодного тиристора (а, б) и распределение напряжений в нем при обратном (в) и прямом (г) внешнем напряжении
91
Рассмотрение физических процессов легче проводить, представив структуру тиристора VS1 в виде двух кремниевых транзисторов с разными типами проводимости, у каждого из которых база соединена с коллектором другого (рис. 7.4).
|
А |
Транзистор |
А |
|
|
iА |
|
||
|
n-p-n-типа |
iА |
||
|
|
|||
Э1 |
p1 |
П1 |
|
Э1 VT1 |
|
П2 |
|
|
Б1 |
Б1 |
n1 |
n1 |
К2 |
К1 |
|
П3 |
|
iК2= iЭ2 |
|
К1 |
p2 |
p2 |
Б2 |
iК1= iЭ1 |
|
|
|
К2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n2 |
Б2 |
Транзистор |
|
VT2 |
||
|
Э2 |
|||
p-n-p-типа |
|
|
Э2 |
|
|
|
|
|
|

К
К 


a
б
Рис. 7.4. Транзисторный аналог тиристора
Переход ПП является эмиттерным переходом транзистора VT1, а П3
– эмиттерным переходом транзистора VT2. Переход П2 является общим для обоих транзисторов. На эмиттерных переходах действует прямое, а на коллекторных – обратное напряжение, что соответствует усилительному режиму работы транзисторов.
ВАХ тиристора имеет три участка (рис. 7.5): 1 – участок слабого нарастания тока при увеличении прямого напряжения, где тиристор закрыт; 2 – участок отрицательного сопротивления (на этом участке происходит неуправляемый процесс включения тиристора, он протекает очень быстро, лавинно); 3 – участок, соответствующий открытому состоянию тиристора, аналогичный прямой ветви ВАХ обычного диода.
Рассмотрим процессы, возникающие в тиристоре при работе на участке 1 его ВАХ. При отсутствии управляющего электрода ток через тиристор ia равен току, протекающему последовательно через все четыре слоя его структуры.
Согласно схеме замещения тиристора (рис. 7.4, а), ток коллектора VT1 iк1 1iэ1, а ток коллектора VT2 iк2 2iэ2 ( 1, 2 – коэффициенты передачи по току транзисторов VT1, VT2).
Очевидно, что ток тиристора ia равен току закрытого перехода П2: ia in2. Кроме токов 1iэ1 и 2iэ2 через П2 протекает неуправляемый об-
92
ратный ток iобр .Поэтому анодный |
|
IА |
|
|||||
ток можно представить в виде |
|
|
3 |
|
||||
ia iп2 1iэ1 2iэ2 |
iобр. |
(7.1) |
|
|
||||
|
|
|
||||||
Если учесть, что i |
э1 |
i |
э2 |
i |
, то |
IУД |
|
2 |
|
|
|
a |
Iпрк |
1 |
А |
||
ia 1ia 2ia iобр, или |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ia iобр 1 1 2 . |
|
0 |
|
UАК |
||||
(7.2) |
|
Uпрк |
||||||
|
|
|||||||
Величины 1и 2 |
зависят от |
Рис. 7.5. ВАХ тиристора при Iу 0: |
||||||
толщины базовых слоев n1, |
p2 |
и от |
|
А – точка включения тиристора; |
||||
тока ia . С ростом напряжения Uак |
1 – участок закрытого состояния; |
|||||||
2 – участок перехода в открытое состо- |
||||||||
(участок 1 ВАХ) величины 1и 2 |
яние; 3 – участок открытого состояния |
|||||||
постоянно растут за счет расшире- |
|
|
|
|||||
ния области перехода П2, и возрастает ток ia . Как только сумма ( 1 2) станет приближаться к единице, тиристор перейдет из закрытого в открытое состояние (точка В на ВАХ), и ток в цепи будет ограничиваться только сопротивлением нагрузки Rн . Процесс открывания тиристора является неуправляемым. Напряжение на тиристоре в точке А, при котором происходит лавинообразное включение тиристора, называется напряжением переключения Uпрк , а значение тока тиристора в этой точке называется током
переключения Iпрк .
В открытом состоянии все три перехода тиристора находятся под прямым напряжением, так как потенциальный барьер П2 практически полностью исчезает за счет того, что в области p2 – высокая концентрация дырок. Они создают поле, направленное навстречу полю потенциального барьера П2.
С уменьшением напряжения Uак уменьшается ток открытого тиристора. При некотором его значении, называемом током удержания IУД ,
a1 a2 станет меньше единицы, тиристор переходит в закрытое состояние, так как восстанавливается потенциальный барьер перехода П2 из-за уменьшения концентрации дырок в области p2 и электронов в области n1. В германиевых транзисторах трудно обеспечить, чтобы a1 a2 была меньше единицы. Отсюда транзисторный аналог тиристора (см. рис. 7.4), выполненный на германиевых транзисторах, почти всегда находится в открытом состоянии. По этой причине все серийно выпускаемые тиристоры только кремниевые.
93
Процесс открывания тиристора управляющим током
В рассмотренном выше случае переход тиристора в открытое состояние был обусловлен увеличением напряжения Uак до величины напряжения переключения Uпрк . Такой способ включения используют в основном
только в динисторах.
С помощью управляющего электрода можно уменьшить напряжение переключения за счет пропускания импульсного или постоянного тока через один из переходов n2 p2 или n1 p1 в прямом направлении.
Если вывод сделан от слоя p2, то источник управляющего сигнала включается между управляющим электродом и катодом (рис. 7.1, б); если вывод сделан от слоя n1, то источник управляющего сигнала включается между управляющим электродом и анодом плюсом на анод.
Рассмотрим влияние тока управления на работу тиристора при прямом напряжении (рис. 7.6, а).
|
|
ia |
|
uН |
~uc |
uc |
t |
|
|
VS1 |
|
RH |
0 |
||
VD1 |
p1 |
iН |
|
||||
uН RH |
|
|
uу |
|
|||
R1 iу |
n1 |
П2 |
|
|
VD1...VD4 |
0 |
t |
Еу |
p2 |
|
|
|
|
||
|
ЕА |
|
|
VS1 |
uH |
|
|
|
n2 |
|
|
(iH) |
t |
||
uу |
|
|
|
||||
|
|
|
|
0 |
|
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
a |
|
|
|
|
VD5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ia |
|
|
|
|
iу |
|
|
|
|
|
|
|
uу |
|
|
iу=iу спр |
б |
|
iу3 iу2 iу1 iу=0 |
||
|
||
IУД |
|
Iпрк



















A
0 















Uпрк Uак
в
Рис. 7.6. Влияние тока управления на работу тиристора: а – схема управления тиристором от источника постоянного тока; б – схема управления тиристором от импульсного источника; в – семейство ВАХ тиристора при различных значениях тока управления
94
При протекании тока в цепи управляющего электрода повышается концентрация электронов в области p2, возрастает их инжекция в области n1, снижается потенциальный барьер закрытого перехода П2, что приво-
дит к открыванию тиристора и появлению тока в нагрузке при Uак Uпрк .
Чем больше ток управления, тем при меньшем напряжении Uак открывается тиристор. Это отражает семейство ВАХ тиристора при различных значениях тока управления (рис. 7.6, в). При некотором значении тока iу ,
называемом током спрямления iу спр , характеристика спрямляется и имеет
вид, подобный виду обычного диода.
После включения тиристора цепь управления может быть отключена, а тиристор останется в открытом состоянии. Благодаря этому управление тиристором обычно осуществляется кратковременными импульсами. Изменяя момент появления этих импульсов управления, можно управлять выпрямленным или переменным током в нагрузке. Один из вариантов схемы управления переменным током в нагрузке с использованием тиристора приведен на рис. 7.6, б.
Выключение тиристора происходит либо при уменьшении напряжения Uак или при изменении его полярности, либо при снижении тока ia ниже тока удержания. Для выключения тиристоров в преобразовательной технике применяют специальные устройства искусственной коммутации, схемы которых здесь не рассматриваются.
7.2. Симметричный тиристор (симистор)
Симистором называют тиристор, который переключается из закрытого состояния в открытое как при прямом, так и при обратном напряжении на его электродах Uэ. Он имеет симметричную относительно начала координат ВАХ (рис. 7.7). Симисторы подразделяют на диодные и триодные, их условные графические и позиционные обозначения в схемах приведены на рис 7.8, в и г.
Диодный симистор (диак) включается как в прямом, так и в обратном направлении в момент, когда напряжение между анодом и катодом достигает величины, равной напряжению переключения. Триодный симистор (триак) включается как при прямом, так и при обратном напряжении Uэ в момент, когда на управляющий электрод поступает импульс управления тока iy .
Структура симистора отличается от структуры тиристора большим числом р–п-переходов (рис. 7.8, а). Эту структуру можно рассматривать как два обычных тиристора, включенных встречно параллельно (рис. 7.8, б). Первый из них образован областями p1 n2 p2 n3, разде-
95