Материал: Аналоговая и цифровая электроника. Учебное пособие. 2000

16

Тиристоры делятся на запираемые и незапираемые. Запираемые тиристоры

способны переключатся из открытого состояния в закрытое при подаче на управляющий электрод сигнала отрицательной полярности. Незапираемые

амперную характеристику (рис.16). Открытие симистора управляющими сигналами. Симисторы в отличии от тиристоров имеют возможность проводить

17

ток в двух направлениях, поэтому на них можно подавать переменное напряжение. Симисторы, как и тиристоры могут применяться в формирователях, коммутаторах, в регуляторах тока и напряжения.

Важнейшими параметрами тиристоров являются: ток удержания Jудерж, напряжение в открытом состоянии, ток отпирания Jупр, средний ток, импульсный ток, время включения и отключения и т.д.

Излучающие диоды представляют собой полупроводниковые диоды, излучающие из области p-n перехода кванты энергии. Излучение происходит через прозрачную стеклянную пластину, размещенную в корпусе диода. По характеристике излучения диоды делятся на две группы: диоды с излучением в видимой области спектра, получившие название светодиоды и диоды с излучением в инфракрасной области спектра, получившие название ИК -диоды.

Светодиоды применяются в качестве световых индикаторов, а ИК -диоды в

качестве источников излучения в оптоэлектронных приборах и в качестве первичных преобразователей информации.

Маркировка полупроводниковых приборов предусматривает шесть символов.

Первый символ – буква (для приборов общего применения) или цифра (для приборов специального назначения), указывающая исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен диод: Г(1) – германий, К(2) – кремний, А(3) – арсенид галлия.

Второй символ – буква, обозначающая подкласс диода: Д – выпрямительные, высокочастотные и импульсные; В – варикапы, С – стабилитроны и стабисторы; Н – динисторы; У – тиристоры; Л – излучающие диоды и т.д.

Третий символ – цифра, указывающая назначение диода, например: 1, 2, 3 – выпрямительные диоды, 5- импульсные, 6 – СВЧ и т.д.

Четвертый и пятый символы – двухзначное число, указывающее порядковый номер разработки (у стабилитронов – номинальное напряжение стабилизации).

Шестой символ – буква, обозначающая параметрическую группу прибора. Например: КД521А – кремниевый импульсный диод, номер разработки 21,

группа А, общего применения.

2.3. Полупроводниковые транзисторы

Все полупроводниковые транзисторы делятся на две группы: биполярные и униполярные (полевые) транзисторы.

18

Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя

Принцип действия биполярного транзистора основан на использовании физических процессов, происходящих при переносе основных носителей электрических зарядов из эмиттерной области в коллекторную через базу.

I э = Iк + Iб ,

где Iэ, Iк, Iб – токи соответственно в цепи эмиттера, коллектора, базы. Важнейшими параметрами, характеризующими качество транзистора,

являются дифференциальный коэффициент передачи тока из эмиттера в коллектор - α и дифференциальный коэффициент передачи тока из базы в коллектор - β.

Современные транзисторы имеют α=(0,9÷0,99)<1 и в=(4÷10000). Основными параметрами, характеризующими транзистор как активный

нелинейный четырехполюсник (рис. 18.) являются:

Обычно транзисторы включаются в электрическую схему таким образом, чтобы один из его электродов был входным, второй выходным, а третий общий

19

поступает на эмиттер, а выходной снимается с коллектора.

Входным сопротивлением схемы Rвх является сопротивление открытого эмиттерного перехода, которое составляет десятки ом. Выходное сопротивление

где Rвх.б – входное сопротивление открытого эмиттерного перехода.

Так как Rн>> Rвх.б, то KV>1.

Таким образом схема включения транзистора с ОБ не обеспечивает усиление по току, однако усиливает входной сигнал по напряжению и мощности.

В схеме с ОЭ (рис.20) входной сигнал поступает на входы база – эмиттер, а выходной снимается с коллектора.

Входное сопротивление Rвх.э схемы значительно больше, чем в схеме с ОБ.

Коэффициент усиления схемы по напряжению KV

20