напрямку, що і викликало його випромінювання, в одній і тій же фазі і з однаковою поляризацією. Індуковане випромінювання є когерентним.
•На практиці найбільшого поширення набула електролюмінесценція. На основі цього явища працюють випромінювачі, тобто прилади, що перетворюють електричну енергію збудження в енергію оптичного випромінювання заданого спектрального складу і просторового розподілу. Когерентні - інжекційні лазери і некогерентні -
світловипромінюючі діоди.
•Специфічні вимоги до світловипромінюючих діодів: робота у видимому діапазоні
400 ... 700 нм, висока яскравість, визначають вимоги до напівпровідникових матеріалів для їх виготовлення. Міжзонна рекомбінація найбільш імовірна в прямозонних напівпровідниках, типовими представниками яких є GaAs, InAs, InSb, GaSb, більшість сполук А2В6 (ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdTe, CdSe), а також ряд інших бінарних сполук - PbS, PbSe, PbTe.
• Спектральний склад оптичного випромінювання визначається шириною
забороненої зони в прямозонних напівпровідниках і енергетичним рівнем пасток в непрямозонних.
Схема |
|
|
випромінювальної |
Ударна іонізація |
|||
|
|
Схематично процеси ударної іонізації і ударного |
|||||
рекомбінації |
носіїв |
на р-n- |
|||||
збудження на р-n-переході, що включений в |
|||||||
переході: 1 - потік електронів, 2 - |
|||||||
зворотному напрямку, зображені на рис. В |
|||||||
потік |
дірок, |
3 |
- |
міжзонна |
|||
сильному електричному полі електрони зони |
|||||||
випромінювальна |
рекомбінація |
||||||
провідності прискорюються (перехід 2), |
|||||||
носіїв, |
4 - |
випромінювальна |
|||||
накопичуючи енергію, достатню для вибивання |
|||||||
рекомбінація |
носіїв через центри |
||||||
|
електронів з валентної зони в зону провідності |
|
ІНЖЕКЦІЙНА ТА УДАРНА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ |
|
Люмінесценцію можна викликати шляхом |
|
інжекції носіїв через р-n - перехід. Зонна схема р- |
|
n - переходу, включеного в прямому напрямку, |
|
представлена на рис. 1. Прикладання зовнішньої |
|
напруги U, що понижує контактну різницю |
|
потенціалів, дає можливість частині носіїв |
|
проникнути в перехід і прилеглі до нього області |
|
та рекомбінувати з носіями заряду протилежного |
|
знака, при цьому відбувається випромінювання |
|
квантів світла (перехід 3 на рис. 1). Рекомбінація |
|
може відбуватися також з участю рівнів домішки |
|
(перехід 4) |
люмінесценції |
(перехід 3). Поряд з цим відбуваються також |
|
|
|
збудження або іонізація центрів люмінесценції |
|
(переходи 4 і 5 відповідно). Аналогічні переходи |
|
відбуваються під дією дірок, що прискорюються. |
|
Випромінювання виникає при переходах, |
|
обернених 4 (внутрішньоцентрова люмінесценція), |
|
а також 3 і 5 (міжзонна рекомбінація електронів з |
|
дірками і рекомбінація через центри |
|
люмінесценції відповідно). При деякому |
|
критичному значенні напруженості електричного |
|
поля цей процес приводить до настільки різкого |
збільшення густини струму, що відбувається електричний пробій напівпровідника.
ФОТОРЕЗИСТИВНИЙ ЕФЕКТ
•Фоторезистивний ефект - це зміна електричного опору напівпровідника,
обумовлене виключно дією оптичного випромінювання і не пов'язане з його нагріванням.
•Для виникнення фоторезистивного ефекту необхідно, щоб у напівпровіднику відбувалося або власне поглинання оптичного випромінювання з утворенням нових пар носіїв заряду, або домішкове поглинання з утворенням носіїв одного знака. В
результаті збільшення концентрації носіїв заряду зменшується опір напівпровідника.
•Надлишкову концентрацію носіїв заряду, наприклад, електронів можна визначити
наступним чином
n = (1-R) αη NФτ,
де R - коефіцієнт відбиття фотонів від напівпровідника, α - показник поглинання, η - квантова ефективність генерації,
NФ - кількість фотонів, що падають на одиничну поверхню в одиницю часу, τ - час життя нерівноважних носіїв заряду.
Розподіл випромінювачів і фотоприймачів в оптичному діапазоні спектру
ОПТОЕЛЕКТРОНІКА
•Електронні пристрої та системи, в яких використовують разом із традиційними електричними ефектами неелектричні, лежать в основі нового напряму в електроніці –
оптоелектроніки.
•Оптоелектроніка – це галузь електроніки, в якій вивчаються як оптичні, так і електронні явища в кристалах, а також розглядаються питання перетворення оптичних сигналів у електричні та навпаки.
•У широкому сенсі оптоелектронний пристрій це прилад, що випромінює або перетворює електромагнітне випромінювання у видимій, інфрачервоної (ІК) або ультрафіолетової (УФ) областях спектру, або використовує подібне випромінювання для внутрішньої взаємодії його елементів.
•Оптоелектронні напівпровідникові прилади (ОПП) ділять на випромінювачі, приймачі випромінювання, оптопари і оптоелектронні ІМС (табл. 1).
Перераховані вище групи приладів здійснюють генерацію, перетворення, передачу і збереження інформації. Носіями
інформації в оптоелектроніці є нейтральні в електричному розумінні частинки - фотони,
які не чуттєві до впливу електричних і електромагнітних полів, не взаємодіють між собою і створюють односпрямовану передачу сигналу, що забезпечує високу перешкодозахищеність і гальванічну розв'язку вхідних і вихідних електричних кіл.
НАПІВПРОВІДНИКИ ДЛЯ ВИГОТОВЛЕННЯ ДЖЕРЕЛ СВІТЛА
СВІТЛОДІОДИ
•Напівпровідниковий випромінювальний діод (світлодіод) – це напівпровідниковий прилад з одним або кількома електричними переходами, призначений для безпосереднього перетворення електричної енергії в енергію некогерентного світлового випромінювання.
•Відповідно до ГОСТ 10862-72 першим елементом позначення світлодіодів є
буква або цифра, що означає матеріал виготовлення (А(1) - арсенід галію), другим елементом є буква “Л”.
Значення третього елемента позначення світлодіодів такі: 1 – діод інфрачервоного діапазону; 2 – оптичного діапазону;
3– діод з яскравістю свічення менше 500 Кд/м2;
4– з яскравістю, більшою 500 Кд/м2.
Четвертий, п’ятий і шостий елементи позначення такі самі, як у звичайних діодів.
• Основний фізичний процес, що забезпечує роботу світлодіодів – це випроміню-
вальна рекомбінація у базі, ймовірність якої зростає при підвищенні концентрації неосновних нерівноважних носіїв, тобто при прямому ввімкнені – переходу. Ця рекомбі-
нація, на відміну від невипромінювальної, супроводжується виділенням енергії у вигляді квантів світла. Для виготовлення світлодіодів застосовують матеріали з малою ймовірністю невипромінювальної рекомбінації (наприклад, сполуки InSb, GaSb, GaAs, GaP, InP, SiC тощо). Свічення збуджується в інфрачервоному і видимому діапазонах за допомогою змінного або постійного струму при напрузі U>Uпор, де Uпор UК (порогова напруга дорівнює контактній різниці потенціалів). Будова світлодіоду показана на рис. 1. Для підвищення ККД (зменшення відбиття) випромінювальна поверхня виконується у формі напівсфери. Яскравість свічення майже лінійно залежить від струму через світлодіод (рис. 2).
Будова світлодіода
1- металеві контакти;
2- n-область; 3 – світловипромінюючий р-n- перехід; 4 - р-область;
5- світловий потік
Яскравостна
характеристика
світлодіода
•Колір свічення світлодіоду залежить від матеріалу з якого він виготовлений
(ширини забороненої зони, природи центрів рекомбінації тощо). Чим більша ширина забороненої зони матеріалу, тим менша довжина хвилі світлового випромінювання.
Так, двокомпонентні напівпровідникові матеріали GaAs і GaP дають червоне свічення,
карбід кремнію SiC – червоно-помаранчове або жовте. Суміш GaP та InP – жовте або жовто-зелене свічення. Використовуються світлодіоди з перестроюваним кольором свічення (рис. 1), які мають два – переходи, утворені різними vматеріалами (легуючими домішками). Це забезпечує генерування одним переходом зеленого світла, а іншим – червоного. Регулюванням струмів через переходи можна змінювати інтенсивність кожного з кольорів, а отже і сумарний колір свічення.
•Світлодіоди широко використовуються ї в різноманітних електронних пристроях. Перевагою інжекційних світлодіодів є – яскраве і чисте свічення, зручність керування, економність, довговічність тощо.
•Крім точкових світлодіодів, у напівпровідникових індикаторах застосовують дві основні конфігурації висвічуваних елементів: семисегментну та матричну (рис.2). Сегментна конфігурація складається із 7 прямокутних напівпровідникових пластин, елементарні ділянки яких являють собою світлодіоди. Така конфігурація дозволяє відтворювати усі десять цифр і кілька букв. Матрична конфігурація складається з
комірок, кожна з яких має 36 (7 5+1) точок і дозволяє відтворювати усі цифри, букви, знаки стандартного коду для обміну інформацією.
Структура світлодіода з кольором свічення, що перелаштовується
Варіанти елементів, що висвічуються за допомогою світлодіодів:
а) семисегментна конфігурація; б) – матрична конфігурація
ПАРАМЕТРИ СВІТЛОДІОДІВ
•Світлодіод - низьковольтний прилад. Звичайний світлодіоди, що застосовуються для індикації, споживають від 2 до 4 В постійної напруги при струмі до 50 мА. Світлодіоди, які використовуються для освітлення, споживають таку ж напругу, але струм є вищим - від декількох сотень мА до 1 А. В світлодіодному модулі окремі світлодіоди можуть бути включені послідовно і сумарна напруга виявляється більш високою (зазвичай 12 або 24 В). При підключенні світлодіода необхідно дотримуватись полярності, інакше прилад може вийти з ладу. Напруга пробою вказується виробником і звичайно становить більше 5 В для одного світлодіода. Яскравість світлодіода характеризується світловим потоком і осьовою силою світла, а також діаграмою спрямованості. Існують світлодіоди різних конструкцій, що випромінюють в тілесному вуглі від 40-1400. Колір, світла, що випромінюється, визначається координатами кольоровості і колірною температурою, а також довжиною хвилі випромінювання. Для порівняння ефективності світлодіодів між собою та з іншими джерелами світла використовується світловіддача: величина світлового потоку на один ват електричної потужності. Також цікавою маркетингової характеристикою виявляється ціна одного люмена.
•В робочих режимах струм світлодіода експоненціально залежить від напруги і незначні зміни напруги приводять до великих змін струму. Оскільки світловий вихід прямо пропорційний струму, то і яскравість світлодіода виявляється нестабільною. Тому струм необхідно стабілізувати. Крім того, якщо струм перевищить допустиму межу, то перегрів світлодіода може привести до його прискореного старіння. Саме тому
послідовно з світлодіодом включають конвертор (driver). Для світлодіода він те саме,
що баласт для лампи. Він стабілізує струм, що протікає через світлодіод.