Материал: Электромагнитная совместимость радиотехнических систем. лабораторный практикум. Федоров С.М., Ищенко Е.А

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Одним из важнейших пунктов данного исследования является изучение падения напряжений на шине заземления. В любой электрической цепи обязательно присутствует общая точка, но в профессиональной среде принято употреблять термин заземление или GND. Этот термин получен из практики электротехники, когда в качестве контрольной точки часто используется медный шип, буквально вбиваемый в землю. В первом упрощении заземление всегда имеет нулевой потенциал, что позволяет легко определить напряжение на любой из линий, так как это значение является разностью потенциалов между исследуемой шиной и землей. В тоже время, заземление на самом деле не совпадает с линией с нулевым потенциалом, так как провод заземления из соображений безопасности не передает ток в нормальных условиях, однако в профессиональном лексиконе принято объединять эти понятия между собой.

Существование линии с напряжением в 0 В является достаточно интересным вопросом. Теоретически, у каждого элемента есть нулевой выход – заземление, но не стоит забывать, что у любого проводника присутствует конечное ненулевое сопротивление, индуктивность и емкость. Закон Ома четко позволяет понять нам, что на линии заземления c некоторым сопротивлением при протекании тока будет возникать напряжение, а это уже не дает нам линии с номинальным напряжением в 0 В. Только если сопротивление шины составляет 0 Ом мы можем получить идеальную короткозамкнутую линию с нулевым потенциалом.

Для современной электроники довольно часто можно действительно пренебречь возникшим напряжением, так как, в основном, заземление имеет сопротивление порядка нескольких милли Ом при протекающих токах в районе

нескольких десятков миллиампер, что по закону Ома:

 

=

,

(14)

 

 

приводит к уровню напряжения в несколько микровольт, что в миллионы раз ниже напряжения, которое обычно протекает по шинам питания или по сигнальным дорожкам.

Но всегда стоит помнить, что при неграмотной разработке линии заземления возможно возникновение одной или нескольких проблем:

1)ток, протекающий по земле, исчисляется в амперах, а не милии/микроамперах;

2)сопротивление линии заземления составляет Омы, а не миллиОмы;

3)ситуации, когда результирующее падение напряжений на линии не приближается к нулевому уровню.

Ниже на рис. 112 приведен пример того, как суммируются токи и напряжения на линии заземления – линия 0В.

85

Рис. 112. Напряжения и токи на линии заземления

Для примера произведем расчет напряжений на узлах в линии заземления. Для упрощения расчета будем использовать английскую систему мер. Так

примем длину линии в 1 дюйм, а удельное сопротивление – 10 мОм дюйм. Для

рис. 112 расчет напряжений на узлах будет производиться по следующему

ал-

горитму:

= ( 1 + 2

+ 3) 10 мОм = 400 мкВ;;

 

 

 

(16)

 

= + ( 2

+ 1) 10 мОм = 700 мкВ.

(17)

 

= + ( 1) 10 мОм = 900 мкВ

(15)

 

 

 

Полученными номиналами напряжений можно пренебречь и, соответственно, для существующей электроники напряжение линии можно принять равным 0 В.

При разработке гибридной электроники, которая сочетает в себе цифровые и аналоговые линии, принято создавать две отдельные линии заземления – GND и DGND (цифровая земля). Это делается для того, чтобы очистить цифровую часть схемы от дополнительных шумов, которые возникают при работе аналоговых устройств.

Для выполнения всех описанных выше требований заземление принято реализовывать в виде «полигона» – максимально широкого слоя меди на нижнем слое – для двухслойной печатной платы или на одном из внутренних – для многослойной.

Исследование шин питания в режиме IR-Drop позволяет выявить места с аномальными падениями напряжений и высокими плотностями тока на линии питания и заземления.

2. Задание № 1

На основе закона Джоуля-Ленца (11) и уравнения теплопроводности (13) определить насколько нагреется медный проводник, если все тепло от проте-кающего= 383 Джтокакгполностью∙ К остается в проводнике; удельная теплоемкость меди:

; также определить приведет ли данный нагрев к достижению температуры плавления проводника, если изначальная температура окружаю-

86

щей среды - 20 (293 К), а температура плавления меди - 1085 (1358 К). Все необходимые для расчетов данные приведены в табл. 13.

 

 

 

 

 

Таблица 13

 

Данные для определения нагрева проводника

 

 

Вариант

I, А

R, Ом

t, с

 

m, г

 

1

1

20

60

 

100

 

2

10

10

120

 

200

 

3

3

30

10

 

90

 

4

500м

1

1

 

400

 

5

150м

750м

2

 

750

 

6

2

900м

5

 

10

 

7

4

5

8

 

50

 

8

7

2

90

 

90

 

9

400м

7

600

 

75

 

10

900м

90м

10

 

65

 

Примечание: если температура проводника изменится более чем на 1065 градусов, значит медь начнет плавиться.

Полученные результаты занести в отчет.

3. Задание № 2

В соответствии с алгоритмом, который приведен для рис. 112 – уравнения (15), (16), (17), произвести расчет напряжения наузлах заземления, если для всех вариантов удельное сопротивление 10 мОм дюйм, длина проводника 1 дюйм, общая схема стекания токов на землю – рис. 113; варианты для расчета – табл. 14.

Рис. 113. Картина линий для задания № 2

87

 

 

 

 

 

 

Таблица 14

 

Данные для расчетов напряжений на узлах в заземлении

 

 

Вариант

I1, мА

I2, мА

I3, мА

I4, мА

 

I5, мА

 

1

10

20

30

40

 

50

 

2

50

40

30

20

 

10

 

3

60

40

20

10

 

30

 

4

10

30

90

270

 

300

 

5

300

250

200

150

 

100

 

6

50

100

150

200

 

250

 

7

90

110

90

110

 

90

 

8

60

60

60

60

 

60

 

9

80

85

90

95

 

100

 

10

90

99

101

111

 

121

 

Полученные расчеты занести в отчет

4. Пример выполнения моделирования IR-Drop

Для моделирования обязательно требуется указать линии питания и заземления; источник питания и потребление активных элементов (IBIS файлы).

Для определения класса шины питания и заземления можно воспользоваться инструментом Auto-Trapping. Далее необходимо произвести определение источника напряжения, для этого компонент BT1 – Battery 1 определить, как I/O устройство –> Model -> источник напряжения (Voltage Source), для примера установлено 5В, в моделировании устанавливается в соответствии с вариантом (табл. 15). Для источника питания можно указать его паразитные характеристики:

1)R-Source – внутреннее сопротивление источника, так как применяется источник напряжения – его внутреннее сопротивление минимально. Если Вам известно внутреннее сопротивление укажите его, если нет – можно использовать стандартное значение 1 мОм;

2)R-pin – сопротивление точки подключения, как правило, мало, можно пренебречь и использовать 0 Ом;

3)L-pin – индуктивность точки подключения, можно пренебречь и установить равными 0 Гн.

Пример настроенного источника питания приведен на рис. 114.

88

Рис. 114. Настроенный источник питания

В IBIS моделях как правило не прописаны уровни потребления тока, поэтому в данном моделировании их можно принять идеальными, то есть просто определив в виде I/O устройства, а напротив входа power необходимо указать ток потребления, который можно посмотреть в даташитах на устройство. В примере для моделирования используется четыре микросхемы, три из которых

– SN74AHC157DBLE – потребление 50 мА (рис. 115,а)); одна – AD8013AN –

потребление 95 мА (рис. 115,б)).

а)

б)

Рис. 115. Настроенные интерактивные компоненты:

а) SN74AHC157DBLE; б) AD8013AN

Определив источник питания, линии заземления и передачи постоянной составляющей, потребителей, можно перейти к настройке моделирования IRDrop (рис. 116).

89

Источник: https://studfile.net/preview/16568937/