Материал: Электромагнитная совместимость радиотехнических систем. лабораторный практикум. Федоров С.М., Ищенко Е.А

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

раничить переменный ток на поверхности проводника. Глубина скин-слоя вы-

 

 

 

= 2 20 ,

(21)

числяется по следующей формуле:

 

где

глубина скин-слоя, м;

 

 

– удельная проводимость материала, См/м;

 

 

 

– частота, Гц;

 

 

 

– магнитная проницаемость вакуума;

 

 

 

 

 

 

0

– магнитная проницаемость материала.

 

 

Однако использование данной формулы является достаточно неудобным,

так как все значения выражены в значениях системы СИ, поэтому на практике применяют модифицированную формулу:

 

 

 

 

 

 

= 6,61 ( ∙ ∙ )−0,5, см,

 

 

 

(22)

где

– глубина скин-слоя, см;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

– магнитная проницаемость материала;

 

 

 

 

 

 

 

– частота, Гц;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

удельная проводимость

материала

относительно меди

(табл. 20) =

вещества

 

вещества .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

меди

=

5,96∙107

 

 

 

 

 

 

Таблица 20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Характеристики некоторых материалов

 

 

 

Материал

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Серебро

 

 

1,05

 

1

1,05

 

 

1,05

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Медь

 

 

 

1

 

1

1

 

 

1

 

 

 

Золото

 

 

0,7

 

1

0,7

 

 

0,7

 

 

Алюминий

 

0,61

 

1

0,61

 

 

0,61

 

Латунь

 

 

0,26

 

1

0,26

 

 

0,26

 

 

Бронза

 

 

0,18

 

1

0,18

 

 

0,18

 

 

Олово

 

 

0,15

 

1

0,15

 

 

0,15

 

Свинец

 

 

0,08

 

1

0,08

 

 

0,08

 

Никель

 

 

0,2

 

100

20

 

 

 

 

 

Нержавеющая

 

0,02

 

500

10

 

 

 

−5

 

сталь (430)

 

 

 

 

 

 

Мю-металл

 

0,03

 

20

600

 

 

 

−6

 

(1 кГц)

 

 

 

 

 

 

 

Супер пер-

 

 

 

 

 

 

 

3 10

−7

 

маллой

 

 

0,03

 

100

3

 

 

 

(1 кГц)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

115

В соответствии с формулой (22) глубина скин-слоя для меди при частоте 30 МГц составит 0,012 мм. Что приводит к доминированию потерь на поглощение.

Картины потерь на поглощение и отражение в материале экрана можно отобразить, как на рис. 146.

Рис. 146. Картины отражений и потерь на экране

толщиной 0,5 мм (

) в

= 0,61; = 1

 

На рис. 147 показаны суммарные потери на отражение и поглощение для

= 0,1; = 60

 

) и листовой стали

алюминиевой фольги толщиной 0,

5 мм (

 

зависимости от частоты.

Рис. 147. Потери на поглощение и отражение для алюминия и стали

Большинство видов потерь жнмо предсказать заранее, воспользовавшись следующими формулами.

116

 

 

Потери на отражение:

 

 

 

( 2

3)

 

 

 

 

 

H-поле: ( ) = 322 10 10

 

,

(24)

 

 

 

Плоская ( ) = 15 10 10( /

) 1/(

 

) .

(25)

 

 

 

E-поле:

( ) = 168

 

 

 

 

 

2

,

(23)

 

 

Потери на поглощение:

10 10( / ) ( )

 

 

 

 

волна:

 

 

 

,

 

 

где

 

– магнитная проницаемость= 0,1314

 

 

 

 

 

 

 

( )

 

 

 

 

 

 

(26)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

– частота, Гц;

материала;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

– удельная проводимость материала относительно меди;

 

 

 

 

– толщина экрана, мм.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Особое внимание следует уделять отверстиям в экране, которые необхо-

димы для охлаждения и контроля за индикаторами внутри корпусов.

Утечка

электромагнитных волн через отверстия на корпусе зависит от самого крупного

размера отверстия (d) и минимальной длины волны (

) из диапазона частот, ко-

торый необходимо подавить экранированием. Если

, тогда экранирова-

ние будет практически отсутствовать, а частота, при

которой прекращается эф-

фективная работа экрана называется частотой среза, соответствующая2

ей длина

волны – критической.

 

 

 

Для более низких частот (

) эффективность экранирования будет

> 2

линейно возрастать на 20 дБ за декаду (рис. 148) до предельных значений для материала. Если сравнить рис. 147 и 148, то с практической точки зрения особое внимание стоит уделять именно отверстиям на корпусе, так, для частоты в 1 ГГц, чтобы обеспечить экранирование в 20 дБ разрешенный размер отверстия составляет 16 мм.

Рис. 148. Влияние отверстий на эффективность экранирования, красная зона – эффективность ниже 20 дБ

117

Вышеупомянутая теория по экранированию не должна восприниматься слишком буквально, так для упрощения рекомендуется предполагать, что экран является идеальным, а также что барьер находится в дальней зоне относительно источника поля и/или плоской падающей волны. Особо внимание стоит обращать лишь на размеры отверстий и на расстояние между ними. Ввиду трудности расчетов значительно проще произвести моделирование, чтобы определить основные характеристики экранирования на печатной плате.

2. Пример выполнения моделирования эффективности экранирования

Для изучения эффективности экранирования необходимо подготовить и произвести моделирование печатной платы до установки экрана и после. В CST Studio мы можем оценить эффективность экранирования путем использования пробников поля, которые формируют вокруг исследуемой платы сферу (рис. 149). После моделирования необходимо определить максимальные значения пробников для E и H полей.

Рис. 149. Сфера из пробников вокруг неэкранированной платы

Для определения пиковых значений, которые записаны в пробниках поля можно воспользоваться: Macros -> Results -> EMC -> Peak Field Values from Probes. После чего необходимо произвести сравнение результатов моделирования для экранированной и неэкранированной печатной палаты. Если мы будем сразу сравнивать значения в дБ, тогда эффективность экранирования будет определяться разностью напряженности полей до и после экранирования, а если напряженности поля представлены в В/м (для E-поля) или в А/м (для H-поля), тогда необходимо воспользоваться формулой:

118

где

 

– эффективность

( ) = 20 lg

,

 

 

 

 

 

 

(27)

 

 

экранирования, дБ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( )

 

– напряженность поля до экранирования, В/м или А/м;

 

– напряженность поля после экранирования, В/м или А/м.

Так, по результатам обработки, эффективность экранирования для E-поля приведена на рис. 150, причем минимальные уровни на частотах 3,288 ГГц и 4,084 ГГц вызваны наличием вентиляционных отверстий, через которые излучается E-поле.

Для магнитного поля (H) – рис. 151 можно увидеть высокую эффективность экранирования, намного превышающую 20 дБ, за исключением частот 3,288 ГГц и 4,084 ГГц, вызванных вентиляционными отверстиями в экране.

В качестве экрана применялся алюминиевый лист толщиной 0,1 мм; пробники поля располагались на сфере радиусом 60 мм.

Рис. 150. Эффективность экранирования для E-поля в дБ

Рис. 151. Эффективность экранирования для H-поля в дБ

119

Источник: https://studfile.net/preview/16568937/