костью чертежа. След пересечения второго кругового се чения К.2 плоскостью сдвига 5 называют осью основной зоны и обозначают rj2За меру сдвига принимают отре зок s, равный смещению точки F в положение Fr (см.
Рис. 37. Схема деформации шарового объема кристалла при двоиниковаиии [69J
рис. 37). Из простых геометрических соотношений (s : : I= А А ': ОВ) следует, что
2
S“ tg?(p’
где ср — угол наклона наибольшей оси эллипсоида к пло скости скольжения К\.
Если центр шара совместить с границей двойника, то при двойниковании верхняя половина шара превращает ся в эллипсоид, а нижняя остается без изменений.
Таким образом, элементами двойникования являются: Ki — плоскость двойникования;
Кг — второе круговое сечение;
rii — направление двойникования; Яг —ось основной зоны;
s —'кристаллографический сдвиг.
Элементы двойникования в а-титане приведены в табл. 5.
Следует отметить, что единства в идентификации па
раметров /С2 и т|2 для двойников типа {1122} нет. Так, в частности, Актар [67] второму круговому сечению при
83
писывает индексы {1124}, а т]2 обозначает |
<2243 ;>, з |
то время как_К'рокер -и_Бевис [28, -с. 453] |
дают для них |
индексы {1122} и <1123> .
При криогенных температурах наиболее часто встре чаются двойники {1124}, реже двойники {1122} и {1121}
и наиболее редко {1012} ,и {1123}. С повышением тем пературы деформации -не только уменьшается число •систем двойникования, но и изменяется частота образо вания двойников .различного типа. При комнатной тем
пературе встречаются двойники {1121}, {1012}; {1122},
а при температурах порядка 400—500°С {1012} и {1011}. Частота появления двойников разного типа зависит также от схемы нагружения; в частности, при растяже- -нии и сжатии доминируют двойники разных типов.
|
|
|
|
Т а б л и ц а 5 |
|
Элементы двойникования в а-титане |
|
||
Ноыер |
Плоскость |
Направление |
Второе |
Ось основной |
системы |
двойникова |
двойникования |
круговое |
ЗОНЫГ,2 |
|
ния Ki |
|
сечение Кз |
|
1 |
{ЮН} |
<Т012> |
{Ю13} |
< 3 0 3 2 > |
2 |
{1012} |
<1011> |
{101*2} |
<1011> |
3 |
{1,121} |
<ТТ26> |
(0001) |
<1120> |
4 |
{1122} |
< 1123> |
{1.124} |
< 2 2 4 3 > |
5 |
{1-Г23} |
< И 2 2 > |
— |
— |
6 |
{1124} |
< 2243> |
— |
— |
|
|
|
|
|
Двойники {1011} имеют очень небольшую толщину и группируются -в полосы, состоящие из параллельных тон ких пластин (рис. 38,а). В полосах примерно половина объема занята двойниками и половина матрицей. Двой
ники {1122}, напротив, широкие и линзообразные по фор ме (рис. 38,6). В двойниках {1122} сильно развито вто ричное д'воЙ1Нико(вание, вто1В1ремя как ъ двойниках {1011}
ег-о нет. При двойниковании по системе {1011} наблюда-
— —>■
ется большая плотность с-fa дислокаций как внутри двойников, так и в матрице [55].
Направление сдвига T|I, определенное методом интер ференции, для двойника {1011} имеет индексы < Ю 1 2 > ,
84
| 134126 |
| 1444 |
| 1532 |
| 1804 |
| 1sma5-0at3rev1 |
| 2 Общ фарм + |
| 2270 |
| 2409 |
| 2737 |
| 3 (лекция) Метод нейтрализации |