Материал: Методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине «Технология материалов электронной техники». Винокуров А.А., Плотникова Е.Ю

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Продолжение табл. 1.1

 

 

3

а

0,005–20

 

 

62,5

100

 

 

 

б

 

 

78,5

100

 

 

 

в

 

20

10

102,5

150

 

 

 

г

0,1–20

 

 

127,5

200

 

 

 

д

0,1–15

 

 

152,5

250

 

 

4

а

0,005–20

 

 

62,5

100

 

 

 

б

 

 

78,5

100

 

 

 

в

 

15

10

102,5

150

 

 

 

г

0,1–20

 

 

127,5

150

4

 

 

д

0,1–15

 

 

152,5

200

 

5

а

 

 

 

62,5

100

 

 

 

 

 

 

 

 

б

 

 

 

78,5

150

 

 

 

в

20–40

35

15

102,5

200

 

 

 

г

 

 

 

127,5

250

 

 

 

д

 

 

 

152,5

250

 

 

6

а

 

 

 

62,5

100

 

 

 

б

 

 

 

78,5

100

 

 

 

в

20–40

25

15

102,5

200

 

 

 

г

 

 

 

127,5

200

 

 

 

д

 

 

 

152,5

250

Продолжение табл. 1.1

 

 

7

а

 

 

 

62,5

100

 

 

 

б

20–40

20

15

78,5

100

 

 

 

в

102,5

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г

 

 

 

127,5

150

 

 

8

а

20–40

 

 

62,5

100

 

 

 

б

20–40

20

10

78,5

100

 

 

 

в

20–80

102,5

150

 

 

 

 

 

 

 

 

г

20–40

 

 

127,5

150

 

ЭКЭС

11

а

 

 

 

62,5

100

 

 

 

б

0,01–1

35

20

78,5

150

5

 

 

в

 

 

 

102,5

200

 

12

а

0,01–1

20

15

62,5

100

 

 

 

 

 

б

78,5

100

 

 

 

 

 

 

 

ЭКЭФ

21

а

 

 

 

62,5

100

 

 

 

б

 

 

 

78,5

150

 

 

 

в

0,1–20

40

20

102,5

200

 

 

 

г

 

 

 

127,5

200

 

 

 

д

 

 

 

152,5

250

 

 

22

а

 

 

 

62,5

100

 

 

 

б

 

 

 

78,5

100

 

 

 

в

0,1–20

30

15

102,5

200

 

 

 

г

 

 

 

127,5

200

 

 

 

д

 

 

 

152,5

250

Окончание табл. 1.1

 

 

23

а

0,1–20

 

 

62,5

100

 

 

 

б

 

 

78,5

100

 

 

 

в

 

20

15

102,5

150

 

 

 

г

0,1–15

 

 

127,5

150

 

 

 

д

 

 

152,5

200

 

 

 

 

 

 

 

 

24

а

0,1–20

 

 

62,5

100

 

 

 

б

 

 

78,5

100

 

 

 

в

 

20

10

102,5

150

 

 

 

г

0,1–15

 

 

127,5

150

 

 

 

д

 

 

152,5

200

6

 

 

 

 

 

 

 

25

а

 

 

 

62,5

100

 

 

 

б

 

 

 

78,5

150

 

 

 

в

20–40

40

20

102,5

250

 

 

 

г

 

 

 

127,5

250

 

 

 

д

 

 

 

152,5

250

 

 

26

а

 

 

 

62,5

100

 

 

 

б

 

 

 

78,5

100

 

 

 

в

20–40

30

15

102,5

200

 

 

 

г

 

 

 

127,5

200

 

 

 

д

 

 

 

152,5

250

П р и м е ч а н и я:

1.Слитки с указанной базовой длиной должны составлять не менее 75 % общего объема данной марки кремния.

2.Минимальная длина слитков монокристаллического кремния не должна быть менее диаметра слитка.

1.2.Кристаллографическая ориентация плоскости торцевого среза монокристаллического слитка кремния – (111) или (100) индекс «м» и (013) индекс «э» для слитков кремния, легированных бором и фосфором, с удельным электрическим сопротивлением 1–15 Ом·см.

1.3.Угол отклонения плоскости торцевого среза монокристаллических слитков кремния от заданной кристаллографической плоскости (h k l) не должен превышать 3°.

7

1.4. Допускаемое предельное отклонение диаметра слитков кремния от номинального не должно превышать плюс 3 – минус 2 мм.

1.5. Допускается обработка боковой поверхности слитков монокристаллического кремния при их доведении до заданного диаметра. Допускаются слитки кремния с протравленными торцами.

1.6. По требованию потребителя слитки кремния могут быть изготовлены с номинальными диаметрами 60, 76, 100, 125, 150 мм с допускаемыми отклонениями ±0,5 мм (индекс

«к1»).

По согласованию изготовителя с потребителем слитки кремния могут быть изготовлены с номинальными диаметрами 60, 76, 100, 125, 150 мм с допускаемыми отклонениями

±0,1 мм (индекс «к2»).

1.7. По требованию потребителя слитки кремния, легированного фосфором или бором, с удельным электрическим сопротивлением 0,3 Ом·см и более должны быть изготовлены без свирлевых дефектов (индекс «с1») – для слитков с ориентацией (100) и (013) и (индекс «с2») – для слитков с ориента-

цией (111).

Плотность микродефектов, выявляемых травлением, не должна быть более 2·105 см-2 для слитков с ориентацией (100) и (013) индекс «с1» и не более 3·105 см-2 – для слитков с ориентацией (111) (индекс «с2»).

1.8. Кристаллографическая ориентация плоскости торцевого среза, угол отклонения плоскости торцевого среза от заданной кристаллографической плоскости, отсутствие внешних дефектов, концентрация оптически активных атомов кислорода и углерода, концентрация атомов микропримесей железа, золота и меди, плотность дислокаций, время жизни неравновесных носителей заряда (для слитков без индексов «е» и «р») и отсутствие свирлевых дефектов для слитков с индексами «с1 и с2» обеспечивается технологией изготовления.

8

Источник: https://studfile.net/preview/16564995/