СОДЕРЖАНИЕ
Принципы классификации полупроводниковых диодов
Классификация и основные особенности транзисторов
Система обозначений транзисторов
МДП - структура с индуцированным каналом
Расчет входной и выходной характеристики транзистора
Расчет и построение входных характеристик транзистора
Расчет концентрации не основных носителей
Коэффициент переноса тока через базу
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Расчет барьерной емкости коллекторного перехода
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
Полупроводниковые приборы, с момента изобретения, имеют широкое применение в различных сферах деятельности. В особенности, огромное распространение получили транзисторы. В связи с тем, что они очень легко приспосабливаются к различным условиям применения, приборы почти полностью заменили электронные лампы. На основе транзисторов и их применений выросла широкая отрасль промышленности - полупроводниковая электроника. Одно из первых промышленных применений транзистор нашел на телефонных коммутационных станциях.
Сегодня транзисторы и многотранзисторные интегральные схемы используются в радиоприемниках, телевизорах, магнитофонах, детских игрушках, карманных калькуляторах, системах пожарной и охранной сигнализации, игровых телеприставках и регуляторах всех видов - от регуляторов света до регуляторов мощности на локомотивах и в тяжелой промышленности. В настоящее время «транзисторизованы» системы впрыска топлива и зажигания, системы регулирования и управления, фотоаппараты и цифровые часы.
Наибольшие изменения транзистор произвел, пожалуй, в системах обработки данных и системах связи - от телефонных подстанций до больших ЭВМ и центральных АТС. Космические полеты были бы практически невозможны без транзисторов. В области обороны и военного дела без транзисторов не могут обходиться компьютеры, системы передачи цифровых данных, системы управления и наведения, взрыватели, радиолокационные системы, системы связи и разнообразное другое оборудование. В современных системах наземного и воздушного наблюдения, в ракетных войсках - всюду применяются полупроводниковые компоненты. Перечень видов применения транзисторов почти бесконечен и продолжает увеличиваться.
Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Полупроводниковым диодом называется устройство, состоящее из кристалла полупроводника, содержащее обычно один p-n переход и имеющее два вывода.
Классификация диодов производится по следующим признакам:
По конструкции:
По мощности:
По частоте:
По функциональному назначению:
Условное обозначение диодов подразделяется на два вида:
ГОСТ на маркировку диодов состоит из 4 обозначений, представленных на рисунке 1:

Рисунок 1 - Обозначение диодов
I - показывает материал полупроводника:
Г (1) - германий; К (2) - кремний; А (3) - арсенид галлия.
II - тип полупроводникового диода:
Д - выпрямительные, ВЧ и импульсные диоды;
А - диоды СВЧ;
C - стабилитроны;
В - варикапы;
И - туннельные диоды;
Ф - фотодиоды;
Л - светодиоды;
Ц - выпрямительные столбы и блоки.
III - три цифры - группа диодов по своим электрическим параметрам:
IV - модификация диодов в данной (третьей) группе.
Условно-графическое обозначение диодов представлено на рисунке 2:

Рисунок 2 - Условно-графическое обозначение диодов
а) Так обозначают выпрямительные, высокочастотные,
СВЧ, импульсные и диоды Гана; б) стабилитроны;
Конструкция полупроводниковых диодов - рисунок 3. Основой плоскостных и точечных диодов является кристалл полупроводника n-типа проводимости, который называется базой транзистора. База припаивается к металлической пластинке, которая называется кристаллодержателем.

Рисунок 3 - Конструкция полупроводникового диода
Для плоскостного диода на базу накладывается материал акцепторной примеси и в вакуумной печи при высокой температуре (порядка 500 °С) происходит диффузия акцепторной примеси в базу диода, в результате чего образуется область p-типа проводимости и p-n переход большой плоскости (отсюда название). Вывод от p-области называется анодом, а вывод от n-области - катодом.
Большая плоскость p-n перехода плоскостных диодов позволяет им работать при больших прямых токах, но за счёт большой барьерной ёмкости они будут низкочастотными.
К базе точечного диода подводят вольфрамовую проволоку, легированную атомами акцепторной примеси, и через неё пропускают импульсы тока силой до 1А. В точке разогрева атомы акцепторной примеси переходят в базу, образуя p-область

Рисунок 4 - Конструкция точечного диода
Получается p-n переход очень малой площади. За счёт этого точечные диоды будут высокочастотными, но могут работать лишь на малых прямых токах (десятки миллиампер).

Рисунок 5 - р-n переход в точечном диоде
Микросплавные диоды получают путём сплавления микрокристаллов полупроводников p- и n- типа проводимости. По своему характеру микросплавные диоды будут плоскостные, а по своим параметрам - точечные.
Вольт-амперная характеристика реального диода проходит ниже, чем у идеального p-n перехода: сказывается влияние сопротивления базы. После точки А вольтамперная характеристика будет представлять собой прямую линию, так как при напряжении Uа потенциальный барьер полностью компенсируется внешним полем.

Рисунок 6 - Вольт-амперная характеристика p-n перехода
Кривая обратного тока ВАХ имеет наклон, так как за счёт возрастания обратного напряжения увеличивается генерация собственных носителей заряда.

Рисунок 7 - Кривая вольт-амперной характеристики
Выпрямительным диодом называется полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, то есть в источниках питания. Выпрямительные диоды всегда плоскостные, они могут быть германиевые или кремниевые. Германиевые диоды лучше кремниевых тем, что имеют меньшее прямое падение напряжения. Кремниевые диоды превосходят германиевые по диапазону рабочих температур, по максимально допустимому обратному напряжению, а также имеют меньший обратный ток.
Если выпрямленный ток больше максимально допустимого прямого тока, в этом случае допускается параллельное включение диодов.

Рисунок 8 - Параллельное включение выпрямительных диодов
Добавочные сопротивления RA величиной от единиц до десятков Ом включаются с целью выравнивания токов в каждой из ветвей.
Если напряжение в цепи превосходит максимально допустимое обратное напряжение диода, то в этом случае допускается последовательное включение диодов.

Рисунок 9 - Последовательное включение выпрямительных диодов
Шунтирующие сопротивления величиной несколько сот кОм включают для выравнивания падения напряжения на каждом из диодов.
Диоды в схемах выпрямителей включаются по одно- и двухполупериодной схемам. Если взять один диод, то ток в нагрузке будет протекать за одну половину периода, поэтому такой выпрямитель называется однополупериодным. Его недостаток - малый КПД.
На рисунках представлены однополупериодный диод и его вольт-амперная характеристика.

Рисунок 10 - Однополупериодный диод

Рисунок 11 - Вольтамперная характеристика выпрямительного диода
Значительно чаще применяются двухполупериодные выпрямители, представленные на рисунке12.
Рисунок 12 - Двухполупериодный выпрямитель
В течение положительного полупериода напряжения Ua (+) диоды VD1 и VD4 открыты, а VD2 и VD3 - закрыты. Ток будет протекать по пути: верхняя ветвь (+), диод VD1, нагрузка, диод VD4, нижняя ветвь (-). В течение отрицательного полупериода напряжения Ua диоды VD1 и VD4 закрываются, а диоды VD2 и VD3 открываются. Ток будет протекать от (+), нижняя ветвь, диод VD3, нагрузка, диод VD2, верхняя ветвь (-). Поэтому ток через нагрузку будет протекать в одном и том же направлении за оба полупериода. Схема выпрямителя называется двухполупериодной. Если понижающий трансформатор имеет среднюю точку, то есть вывод от середины вторичной обмотки, то двухполупериодный выпрямитель может быть выполнен на двух диодах.

Рисунок 13 - Двухполупериодный выпрямитель на двух диодах