Материал: Исследование модели биполярного транзистора. Методические указания к лабораторной работе № 2 по дисциплине Интегральные устройства радиоэлектроники. Кретов С.Д., Турецкий А.В

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

3.2 Задание №2

Необходимо смоделировать семейство входных и выходных ВАХ биполярного транзистора. Затем необходимо проследить каким образом влияет изменение параметров модели на входные и выходные вольтамперные характеристики.

Для выполнения задания необходимо составить схему, пронумеровать узлы и составить задание на моделирование используя вложенные циклы.

Пример: Необходимо получить семейство входных выходных ВАХ биполярного транзистора NPN типа 2Т313В.

1

Рис.4 Схема измерений выходных характеристик транзистора

.Составим схему измерений

2. Составим задание на моделирование:

*VAH*

VC 1 0 DC 10V

VB 2 0 DC 0.5V

Q1 1 2 0 2T313B

.MODEL 2T313B NPN (параметры модели)

.DC VC 0V 10V 0.2V VB 0V 1V 0.05V

.PROBE

3. После моделирования получаем график IC(Q1)=f(VC)

Аналогичным образом получаем семейство входных ВАХ.

Далее необходимо изменить значение параметров BF, IS и посмотреть как это отразится на входных и выходных ВАХ.

Результаты в виде графиков вывести на печать.

3.3 Контрольные вопросы.

  1. Что называют семейством входных и выходных вольтамперных характеристик транзистора.

  2. Каким образом параметры BF и IS влияют на ВАХ транзистора.

  3. Чем нормальный режим работы транзистора отличается от инверсного.

  4. Каким образом в программе Pspice можно смоделировать семейства входных и выходных ВАХ.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

  1. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и Pspiсe для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Модели компонентов аналоговых устройств. М.: Радио и связь, 1992. Вып.2. 64 с.

  2. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center (Pspice). М.: СК Пресс, 1996. 272 с.

  3. Разевиг В.Д. Система проектирования OrCAD 9.2.- М.: Солон-Р, 2001.

СОДЕРЖАНИЕ

Лабораторная работа №2. Исследование модели биполярного транзистора…….………………………………………3

Библиографический список……………….………….27

ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ

БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

к лабораторной работе №2

по дисциплине "Интегральные устройства радиоэлектроники" для студентов специальности 210201 "Проектирование и технология радиоэлектронных средств"

очной и заочной форм обучения

Составители: Кретов Святослав Дмитриевич

Турецкий Андрей Владимирович

Ципина Наталья Викторовна

В авторской редакции

Компьютерный набор А.В. Турецкого

Подписано к изданию 25.10.2005

Уч.-изд. л.1,4.

Воронежский государственный технический университет

394026 Воронеж, Московский просп., 14

Источник: https://studfile.net/preview/16566468/