где F = wh − площадь активной части катода, эмитирующей электроны ( w −
ширина катода; h − высота активной части катода); δ − коэффициент токо-
прохождения, равный отношению тока анода к току катода (Ia
Iк ), в первом приближении может быть задан выражением δ = 1 − σ, где σ − коэффициент заполнения сетки, равный отношению диаметра проводников сеточной структуры dc к расстоянию между соседними проводниками (шагу) сетки a
(σ= dc
a) ; κ − постоянная объемного заряда (постоянная Гринберга). Для триода κ = (za
zc )4
3 , для лучевого тетрода κ = (zc2
zc1 )4
3 . Отношение расстоя-
ний «катод−анод» za и «катод−сетка» zc («катод−сетка вторая» zc2 и «ка-
тод−сетка первая» zc1) выбирается при этом в пределах 2…6; D − проница-
емость сетки (в лучевом тетроде проницаемость сетки первой D1 ); |
Ia max − |
||||||||||||||
максимальный анодный ток в рабочем режиме, А; |
S − крутизна |
ста- |
|||||||||||||
тической |
анодно-сеточной |
|
|
характеристики в |
точке, соответствующей |
||||||||||
Ia max , А/В. Величины |
D, |
Ia max , S |
определяются режимом использования |
||||||||||||
лампы; геометрия катода рассчитана в 3.1. |
|
|
|||||||||||||
Для |
цилиндрической |
|
|
конструкции |
|
|
|||||||||
лампы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
p |
2z |
zc(1) = |
1 + |
|
|
|
|
|
, |
|
|
|
|||||
1 + 2HDк |
(3.12) |
|
|
||||||||||||
|
2H |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
где H = 3,7 ×104 |
(1 + kD)3 2 |
|
|
S 3 2 |
; |
|
|
D − диаметр |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
hd |
|
|
I a1 2max |
|
|
|
к |
|
|
|
||
катода (решетки или керна). |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
Для подогревного оксидного катода |
|
hяч |
|||||||||||||
найденное расстояние zc(1) |
|
является окон- |
|
||||||||||||
|
|
|
|||||||||||||
чательным. Для решетчатого ВТКК произ- |
|
|
|||||||||||||
водится |
проверка: |
2zc(1) ³ hяч . |
Если |
|
|
||||||||||
2zc(1) < hяч , то решетчатый катод при |
Рис. 3.3 |
|
|||||||||||||
расчете zc(1) не может представляться, как это требуется в формуле (3.12),
сплошной поверхностью. В этом случае необходимо считать его действующую поверхность, которая будет меньше, чем у сплошного катода (рис. 3.3, область между штриховыми линиями) [2].
26
Расстояние zc(1) с учетом реального размера действующей поверхности
может быть рассчитано по формуле
zc (1) = |
|
|
hяч |
|
, |
(3.13) |
||
1 + |
(1 + kD)3 2 sin 2αS |
3 2 |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
1,7 ×10−5 Md I a1 |
2max |
|
|||||
|
|
|
|
|||||
где hяч, α, M − высота ячейки, угол наклона нитей и число ячеек в решетке
соответственно (см. 3.1.1). После определения |
zc(1) находят другие межэлек- |
||
тродные |
расстояния: |
в триоде za = (za |
zc )zc , в лучевом тетроде |
zc2 = (zc2 |
zc1 ). Для цилиндрической конструкции рассчитывают диаметры |
||
сетки Dc |
и анода Da |
в триоде или сетки первой Dc1 и сетки второй Dc2 в |
|
лучевом тетроде:
Dc = Dк + 2zc , Da = Dк + 2za (триод);
Dc1 = Dк + 2zc1, Dc2 = Dк + 2zc2 (лучевой тетрод).
3.2.2. Расчет сеточной структуры
Методика расчета зависит от типа сетки, однако наиболее распространенные конструкции стержневой (рис. 3.4, а) и спиральной (рис. 3.4, б) сеток можно рассчитывать по единой методике.
Шаг сетки триода определяют следующим образом:
a = |
π Dc ln (Dа |
Dc |
) |
. |
(3.14) |
|
|
|
|||
|
(1 D) ln ct h πσ+ ln ch πσ |
|
|||
Аналогичным образом находят шаг первой сетки лучевого тетрода:
a = |
π Dc1 |
ln (Dc2 Dc1 ) |
|
|
|
|
. |
(3.15) |
|
|
|
|||
|
(1 D) ln ct h πσ1 + ln ch πσ1 |
|
||
После этого рассчитывают |
диаметр сеточных |
проводников |
||
dc(1) = a(1)s(1) и задают высоту сеточной структуры исходя из соотношения
Hc(1) ³ h . Для стержневой сетки определяют число сеточных проводников
(стержней) Nc(1) = πDc(1)
a(1) и задают диаметр d у и число витков N у упроч-
няющей навивки для обеспечения необходимой жесткости сеточной конструкции. Для спиральной сетки находят число витков спирали
Nв(1) = H c(1)
a(1) , а также выбирают и уточняют в ходе тепловых расчетов
27
диаметр dт и число N т |
траверз для наиболее эффективного отвода тепла от |
|
сетки. |
|
|
Стержень |
Упрочняющая |
Dc |
|
навивка |
|
|
|
Виток |
|
|
Траверза |
|
|
Hc |
|
Держатель |
|
|
сетки |
|
а |
|
б |
|
Рис. 3.4 |
|
Приведенная методика расчета межэлектродных расстояний основана на использовании закона «степени трех вторых», что, как указывалось в 2, справедливо лишь для конструкций с равномерным распределением электростатического поля вдоль катода, когда возможно сведение лампы с сетками к эквивалентному диоду. Поэтому после расчета структуры управляющей сетки систему электродов проверяют на сводимость:
zc >> dc , zc ³ 0,8a , za - zc ³ 0,8a (триод);
zc1 >> dc1, zc1 ³ 0,8a , za - zc1 ³ 0,8a (лучевой тетрод).
Если проверка на сводимость не выполняется, то расчет геометрических размеров СЭ повторяется при задании меньшего значения σ.
На этом расчет системы электродов триода заканчивается, и остается уточнить заданное вначале значение коэффициента токопрохождения δ:
|
|
dc |
|
|
|
|
|
zc |
|
|
|
|
U |
a |
|
|
|||||
|
|
ln 21,7 |
|
|
|
|
z |
|
− z |
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
a |
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
c |
|
|
|
|
|
|||||||
δ = 1 − σ− |
|
zc |
|
|
|
|
d c |
|
|
|
|
U c |
|
||||||||
|
4π(z |
|
− z |
|
|
) |
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
(3.16) |
|||||
|
a |
c |
|
|
|
|
U |
a |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
1 + D |
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U c |
|
|||||||
Если уточненное значение δ существенно отличается от первоначально- |
|||||||||||||||||||||
го, нужно повторить расчет системы электродов по формулам |
(3.11)−(3.16) |
||||||||||||||||||||
с уточненным коэффициентом токопрохождения. В тех случаях, когда полу-
чаются очень малые значения dc и a ( dc < 0,01 см ), нужно использовать не-
сводимую конструкцию. Тогда проницаемость будет меняться вдоль системы электродов от максимального значения между витками сетки Dc до мини-
28
мального под витком D0 . Более подробно с расчетом несводимых конструк-
ций можно познакомиться в [2].
Для завершения расчета СЭ лучевого тетрода необходимо рассчитать размеры второй сетки и расстояние «сетка вторая−анод» ( za − zc2 ).
3.2.3. Расчет второй сетки лучевого тетрода
Исходя из особенностей построения лучевых конструкций:
|
Nc2 = Nc1 = Nc , |
a2 = πDc2 |
− для стержневой сетки; |
|
|
|
N c |
|
|
|
Nв2 = Nв1 = Nв , |
а2 = а1 − для спиральной сетки. |
||
Для расчета коэффициента заполнения второй сетки σ2 = dc2 a2 задается |
||||
диаметр |
сеточных проводников |
dc2 |
исходя из соотношения |
|
0,5 ≤ dc2 |
a2 ≤ 1,0 . |
|
|
|
В рассчитанной системе электродов лучевого тетрода можно оценить фокусировку электронного потока, исходя из оптимальности нахождения кроссовера Fm в плоскости второй сетки (рис. 3.5) [2].
При условии Uc1 = 0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
1 |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
a |
|
|
κ + |
|
|
|
−1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
a1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
a1 |
|
|
|
1 |
|
|
|
D1 |
|
|
|
|||
Φ = |
+ |
|
a1 (Ec2 − U ∂1 ) |
|
= |
|
|
+ |
|
|
|
|
|
|
, |
|
|||||||||
|
16(z |
|
− z |
|
)U |
|
|
α |
|
|
16(z |
|
− z |
|
|
)sin 2 α |
|
||||||||
2 tg α |
c2 |
c1 |
∂1 |
sin 2 |
2 tg α |
c2 |
c1 |
|
|||||||||||||||||
|
m |
|
|
|
|
|
m |
|
m |
|
|
|
|
|
m |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где |
tg α |
m |
= π ln |
(1 πσ |
) ; U |
≈D ·E ; |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
1 |
∂1 |
1 |
c2 |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Fm |
|
|
|
|
|
sin2 αm = tg2 αm (1 + tg2 αm ). |
Так |
как |
||||||||||||||
|
Ф |
|
|
|
|
|
|
при учете объемного заряда фокусное |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
расстояние Φ увеличивается, фокуси- |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ровку можно считать удовлетвори- |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
тельной при выполнении соотноше- |
|||||||||||||||
К С1 |
С2 |
|
|
|
А |
|
|
|
|
ния 0,6 ≤ Φ (zc2 − zc1 ) ≤ 0,8 . В случае |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
существенного расхождения получен- |
|||||||||||||||
|
Рис. 3.5 |
|
|
|
|
|
|
|
ной СЭ с этим условием следует пере- |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
считать систему электродов, |
используя другие значения zc2 |
zc1 или σ1 . При |
|||||||||||||||||||||||
этом надо иметь в виду, что увеличение zc2
zc1 приводит к росту ( zc2 − zc1),
а увеличение σ1 − к росту a1 и Φ .
29
Задав проницаемость второй сетки D2 в пределах 0,01…0,04, |
определим |
||
расстояние «сетка вторая - анод» ( za − zc2 ): |
|
||
z |
- z |
= (1 D2 )ln cth πσ2 + ln ch πσ2 d . |
(3.17) |
a |
c2 |
c2 |
|
|
|
πσ2 |
|
Найденное значение ( zа − zc2 ) проверяется с двух сторон (слева - на от-
сутствие динатронного эффекта, справа - на отсутствие фиктивного катода):
|
−3 |
F1 2 E |
3 4 |
|
−3 |
F1 2 E |
3 4 |
|
|
1,2 ×10 |
ср |
с2 |
< za - zc2 < 3,6 ×10 |
ср |
с2 |
. |
(3.18) |
||
|
Ia102 |
|
Ia1 2max |
||||||
|
|
|
|
|
|
||||
Здесь Fср - средняя площадь сечения электронного потока между второй |
|||||||||
сеткой и анодом; Fср = 0,5π(Dc2 + za − zc2 )h . Постоянная составляющая тока ано-
да I a 0 = δI 0 . Напряжение на второй сетке Ec2 определяется режимом работы лампы. В случае невыполнения проверок (3.18) слева или справа значение
( za − zc2 ) пересчитывается при задании, соответственно, меньших или больших значений D2 и dc2
dc1 . Если при этом левое неравенство по-
прежнему не выполняется, то для предотвращения динатронного эффекта применяется камерный анод [2].
После проверки найденной величины ( za − zc2 ) определяется расстоя-
ние «катод-анод» za и диаметр анода лучевого тетрода Da = Dк + 2za .
Вслучае применения камерного анода в лучевой конструкции в зависимости от формы лучей камеры могут быть как вертикальными при стержневой сетке, так и горизонтальными при спиральной сетке. Очевидно, что в конструкции лучевого тетрода ребра камер должны быть в тени сеточных проводников [2].
Врезультате расчета по приведенной методике определяются геометрические размеры электродов СЭ триодной и тетродной конструкций (при этом может быть использована программа MathCad). Таким образом производится приближенный (первичный) синтез системы электродов электронной лампы, которая может быть использована в качестве эскизного варианта разрабатываемого прибора. В дальнейшем этот вариант может анализироваться программами более высокого уровня, как аналитическими, так и численными, и доводиться до получения необходимых значений выходных параметров.
30