Материал: Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений.

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

верхности грани. Поскольку один конец дислокации закреплен на поверхности кристалла в точке выхода линии дислокации, т. е. там, где заканчивается ступенька, последняя может перемещаться за счет пристраивающихся к ней атомов только путем вращения вокруг точки выхода линии дислокации наподобие стрелки часов.

После

одного

полного

 

 

 

оборота ступеньки на гра­

 

 

 

ни кристалла будет нара­

 

 

 

щен один новый атомный

 

 

 

слой. Очень важно

 

отме­

 

 

 

тить, что ступенька

 

после

 

 

 

этого не исчезнет, а сохра­

 

 

 

нится, продолжая

играть

 

 

 

роль

зародыша

нового

 

 

 

атомного слоя. За счет ее

 

 

 

дальнейшего вращения на

 

 

 

грань

кристалла

 

будут

 

 

 

как бы

последовательно

 

 

 

навиваться

новые

 

атом*

 

 

 

ные

слои,

обеспечива

 

 

 

ющие рост кристалла.

 

 

 

Таким

образом,

при

 

 

 

дислокационном механиз­

 

 

 

ме роста

нет необходимо­

 

 

 

сти в образовании на гра­

 

 

 

ни кристалла

зародышей

 

 

 

новых

атомных слоев —

 

 

 

энергоемком процессе, ли­

 

 

 

митирующем скорость ро­

 

 

 

ста идеального

кристал­

 

 

 

ла. Роль зародышей игра­

 

 

 

ет не исчезающая в про­

 

 

 

цессе роста как бы само-

 

 

 

воспроизводящаяся

 

атом­

 

 

 

ная ступенька.

Поэтому

 

 

 

подобный

дислокацион­

 

 

 

ный механизм

роста

кри­

Рис. 25. Спиральная ступенька роста вокруг

сталлов

действует

 

даже

выхода винтовой дислокации на поверхности

при весьма

малых

 

пере­

монокристалла карбида кремния

(а)

и ее

сыщениях,

обеспечивая

интерференционное изображение

(б)

(уве­

быстрый рост кристаллов.

личение Х90)

 

 

Дислокационный

 

ме­

приводит к образованию на растущей

ханизм

роста кристаллов

грани своеобразных

 

спиралей или ступеней роста (рис. 25), кото­

рые могут быть выявлены методами электронной, фазовоконтраст­ ной микроскопии и т. д.

Присутствие дефектов типа дислокаций влияет и на другие свойства кристаллических тел. Дислокации имеют повышенную

101

диффузионную проницаемость, поскольку каждая линия дислока­ ции представляет собой путь, вдоль которого диффузия (массоперенос) происходит быстрее, чем через недеформированную решет­ ку. Одна из причин этого заключается в том, что атомные перегруп­ пировки в местах искаженного, относительно беспорядочного расположения атомов вблизи ядра дислокации могут происходить более частой интенсивно. Как уже указывалось, движение дислока­ ций может сопровождаться образованием или, наоборот, исчезно­ вением вакансий, что должно оказывать влияние на проводимость ионных кристаллов.

Контрольные вопросы

1.Приведите структурную характеристику тетраэдрической группы [SiO^4™

вукажите характерные особенности ее свойств. Что такое кремнекислородный мотив или радикал в структуре силикатов и какое влияние оказывает он на структуру и свойства силикатов?

2.Опишите структурную классификацию силикатов по типу кремиекислородного мотива и приведите примеры минералов, относящихся к разным струк­ турным группам.

3.В чем заключается особенность структуры простых и сложных оксидов

металлов и какие структурные типы характерны для них? Опишите особенности структуры нормальных и обратных шпинелей и напишите их структурные фор­ мулы.

4.Каковы особенности структур боридов, карбидов, нитридов и силицидов?

5.Опишите типы нульмерных и одномерных дефектов в решетках кристалли­

ческих веществ и укажите, на какие их свойства они оказывают особенно боль­ шое влияние.

6.Каковы условия образования твердых растворов замещения и внедре­

ния?

7.На конкретных примерах нестехиометрических соединений объясните сущ­ ность дефектов нестехиометрии, возможные способы сохранения электронейтральиости решеток при возникновении подобных дефектов и влияние их на свойства

кристаллических тел.

8. Каково принципиальное различие между структурой индивидуального хи­ мического соединения и твердого раствора и какие методы исследования позво­ ляют выявить это различие?

9. Докажите, что загрязнение кристаллов небольшим количеством примесей является термодинамически выгодным и обеспечивает большую стабильность сис­ тем.

10.Почему дефекты по Шоттки Френкелю относятся к термодинамически равновесным дефектам, в чем причина их образования и какие факторы оказы­ вают влияние на их концентрацию в кристаллической решетке?

11.Что является структурным признаком наличия в кристаллической ре­ шетке краевой и винтовой дислокации и их качественной и количественной харак­ теристикой?

12.Опишите причины образования и свойства дислокаций, методы опреде­ ления их плотности и приведите значения этой плотности в совершенных и де­ формированных кристаллах.

Г Л А В А 3

РАСПЛАВЫ СИЛИКАТОВ И ДРУГИХ ТУГОПЛАВКИХ НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

3.1.ПЛАВЛЕНИЕ. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

Как известно, ключевой операцией в производстве силикатных и других тугоплавких материалов является высокотемпературная обработка, в процессе которой исходные твердые вещества могут полностью (технология стекла, эмалей, глазури, плавленых цемен­ тов, огнеупоров, абразивов) или частично переходить в расплав (портландцементный клинкер, глиноземистый цемент, фарфор, фа­ янс, шамотные и динасовые огнеупоры и т. д.). Поэтому весьма важно познание природы расплавов силикатов и их свойств.

П л а в л е н и е — процесс перехода вещества из твердого состоя­ ния в жидкое, совершающийся под действием температуры. Плав­ ление кристаллических веществ является фазовым превращением, обусловленным скачкообразным изменением их внутреннего строе­ ния и связанных с ним физико-химических свойств.

Из известных теорем классической термодинамики следует, что при равновесии между двумя состояниями вещества свободные энергии единицы массы вещества в обоих состояниях должны быть одинаковы. Отсюда условием равновесия между твердой и жидкой фазами должно быть равенство GTB= G m. Графически такое со­ стояние иллюстрирует рис. 26, из которого видно, что при темпера­ туре плавления кривые свободной энергии твердой и жидкой фаз пересекаются. Выше температуры плавления устойчиво жидкое со­ стояние, ниже ее — твердое.

Плавление — эндотермический процесс, его характеризуют скры­ той теплотой плавления, т. е. количеством теплоты, которое необ­ ходимо сообщить веществу, нагретому до температуры плавления, чтобы его расплавить. Эта теплота расходуется на преодоление сил взаимодействия атомов кристаллической решетки и характеризует разницу в энергии взаимодействия между частицами в твердом и жидком состояниях.

Температура плавления, являющаяся характеристикой кристал­ ла, показывающей его устойчивость к тепловым воздействиям, должна находиться во взаимосвязи с энергией кристаллической ре­

103

Рис. 26. Изменение свобод­ ной энергии в процессе пла­ вления

тетки. Подтверждением наличия такой взаимосвязи могут служить данные, приведенные в табл. 11, из которых видно, что с увеличе­ нием энергии решетки температура плавления возрастает. Тип ре­ шетки, в которой кристаллизуется соединение, также оказывает влияние на температуру плавления. Симбатность энергии решетки

и температуры плавления прослежива­ ется лишь для соединений, кристаллизу­ ющихся в решетках какого-либо одного типа. Таким образом, при изучении пре­ вращения вещества из твердого состоя­ ния в жидкое нельзя не учитывать тон­ кую структуру вещества. Зависимости температур плавления от положения хи­ мических элементов, образующих рас­ сматриваемые соединения, в периодиче­ ской системе могут быть удовлетвори­ тельно объяснены лишь в связи со струк­ турой вещества, определяемой характе­ ром межатомных и межмолекулярных связей.

Отсюда вытекает также и условие высокой температуры плав­ ления кристаллических веществ: Tnn = Hnn/Snjl. Очевидно, что вы­ соким Тил благоприятствует большое значение Япл и низкое Snj-i. Большая энтальпия плавления Япл реализуется, когда энергия свя­ зи между структурными единицами в решетке кристалла велика, а низкая энтропия плавления Snji — когда имеет место простой ме­ ханизм плавления. По А. Р. Уббелоде, тугоплавкие вещества долж­ ны иметь между атомами прочные ионные или ковалентные связи

Т а б л и ц а 11.

Сзязь между энергией кристаллической решетки (£), ее типом

и температурой плавления для некоторых тугоплавких соединений

Соединение

Е , кДж/моль

Температура

Тип решетки

плавления,

 

 

°С

 

ВеО

5170

2530

Гексагональная

МеО

3939

2800

Кубическая

СаО

3528

2570

 

SrO

3314

2430

»

ВаО

3130

1923

ZnO

4094

1975

Гексагональная

ZnS

3427

1850

Кубическая

ZnTe

2925

1238

(чтобы энтальпия была высока) и простую структуру, причиной возрастания энтропии в которой является увеличение степени по­ зиционного разупорядочения (чтобы энтропия 5ПЛ была низкой). Этим требованиям удовлетворяют прежде всего карбиды, бориды, нитриды, оксиды и их смеси. По данным Г. В. Самсонова, темпе­

104

ратура плавления этих веществ

приведена

на рис.

27. Несмотря

на возрастающее использование

в технике

высоких

температур

карбидов, боридов и нитридов, доминирующее положение в техно­ логии тугоплавких неметаллических материалов принадлежит ок­ сидам, чему способствует, с одной стороны, их экономическая до­ ступность, а с другой — возможность переработки в обычной среде. Среди же оксидов ведущую роль играют силикаты.

Плавление рассматривается с позиций молекулярно-кинетиче­ ской теории как накопление в веществе вакансий. С повышением

температуры

возрастает

амплитуда

 

 

колебаний структурных

элементов

 

 

решетки

вокруг положений

равно­

 

 

весия. Когда

амплитуда превысит

 

 

среднее

межатомное

расстояние,

 

 

ионы

отрываются

от кристалличе­

 

 

ского тела. С этого момента

начи­

 

 

нается переход вещества в новое аг­

 

 

регатное

 

состояние — жидкость.

Рис.

27. Температура плавления

В стадии предплавления имеет мес­

или

разложения материалов раз­

то сильное термическое расширение

 

личных классов:

вещества,

обусловленное

большими

1 — карбиды; 2 — бориды; 3 — нитриды;

амплитудами

колебания

структур­

 

4 — металлы; 5 — оксиды

ных частиц и разрывом части хими­

 

 

ческих

связей. Для

этой

стадии характерно накопление вакансий

в кристалле, содержание которых вблизи температуры плавления может достигать 1... 2% (мае.). Появление вакансий приводит к необходимости перераспределения сил химической связи между оставшимися ионами, что является причиной возникновения сил отталкивания между катионами и анионами в соответствующих ко­ ординационных сферах. Это вызывает дополнительное увеличение термического расширения кристалла вблизи температуры плавле­ ния, благодаря чему число слабых связей в решетке возрастает и кристалл становится все менее и менее твердым. Из-за склонности вакансий к флуктуационному слиянию при их скоплении образуют­ ся поверхности разрыва, отделяющие друг от друга отдельные атомные группировки — микроблоки. Это приводит к тому, что в момент плавления кристалла в расплав переходят не отдельные атомы, а их группировки.

Если с повышением температуры химические связи в решетке ослабляются постепенно и равномерно, то кристалл также посте­ пенно размягчается и превращается вначале в очень вязкую жид­ кость, структура которой близка к структуре исходного твердого тела. По мере увеличения температуры и продолжительности вы­ держки при ней степень структурирования расплава уменьшается, и он трансформируется в подвижную жидкость.

Если же с повышением температуры решетка сильно расширя­ ется и химические связи в ней разрываются быстро и неравномер­ но, то в кристалле вблизи температуры плавления возникают хао­

105

тически расположенные микроучастки метастабильной жидкой фазы, которая при температурах, превышающих температуру плав­ ления, переходит в легкоподвижную жидкость.

3.2. С Т Р О Е Н И Е Р А С П Л А В О В С И Л И К А Т О В

Высокая температура плавления силикатов и других оксидов, используемых в технологии неметаллических неорганических мате­ риалов самого разнообразного назначения, весьма осложняет ис­ следование их строения в расплавленном состоянии. Эта причина сильно затруднила изучение расплавов силикатов по сравнению с другими жидкостями. Другим фактором, затрудняющим их изуче­ ние, является очень высокая вязкость, намного превышающая вяз­ кость нормальных жидкостей, что обусловливает медленность до­ стижения равновесия между расплавом и газовой фазой. Различия в вязкости расплавов силикатов и других жидкостей очень сущест­ венны (табл. 12). Однако к настоящему времени о природе сили­ катных расплавов, их строении и свойствах накоплена значитель­ ная информация, позволившая сформулировать ряд обобщающих положений и гипотез.

Т а б л и ц а

12.

В язкость

силикатов и других

 

неорганических

вещ еств

 

 

Вещество

Температура,

Вязкость,

°С

дПа-с

Вода

 

 

20

0,01

Сера

 

 

160

0,3

Медь

 

 

1550

0,02

Железо

 

 

1550

0,06

Техническое стекло

1400

103... 105

Натриевый полевой шпат

1400

104... 105

Калиевый полевой шпат

1400

105... 108

Кварцевое стекло

2000

10б

Расплавы — одна

из

форм жидкого состояния вещества, зани­

мающего, как известно, промежуточное положение между твердым и газообразным состоянием. Поэтому все наиболее характерные особенности жидкого состояния должны учитываться при рассмот­ рении строения силикатных расплавов.

Согласно теории Ван-дер-Ваальса жидкости рассматривались как сильно сжатые газы, отличающиеся чрезвычайно малым рас­ стоянием между частицами. Однако было доказано, что эти пред­ ставления в какой-то мере действительны лишь для температур, близких к критической.

Если же охлаждать жидкости, то по мере приближения к тем­ пературам их кристаллизации они все больше и больше приобре­ тают сходство с кристаллическими телами. Вблизи температуры плавления большинство жидкостей фактически имеет сходство с кристаллическим состоянием. Наиболее существенное отличие жид­

106

Источник: https://tut-files.ru/previewfile/76046