2.16. Запишите выражение для определения угла между направ-
лениями [111] и [101 ] тетрагонального кристалла с параметрами решетки a и c.
2.17. Запишите выражение для определения угла между направ-
лениями [011] и [111 ] ромбического кристалла с параметрами решетки a, b и c.
2.18*. Вычислите угол между направлениями [1120 ] и [1010 ] гексагонального кристалла.
2.19.Вычислите угол между плоскостями (110 ) и ( 011 ) кубического кристалла.
2.20.Запишите выражение для определения угла между плоско-
стями ( 101) и (111) тетрагонального кристалла с параметрами решетки a и c.
2.21. Запишите выражение для определения угла между плоско-
стями (011) и (111 ) ромбического кристалла с параметрами решетки a, b и c.
2.22*. Вычислите угол между плоскостями (1120 ) и (1010 ) гек-
сагонального кристалла.
2.23. Вычислите для кубического кристалла индексы оси кри-
сталлографической зоны, включающей плоскости (112) и (111). 2.24. Вычислите в кубическом кристалле индексы плоскости,
проходящей через направления [ 101] и [111].
2.25. Вычислите в кубическом кристалле угол между плоско-
стью (111) и направлением [ 101].
2.26. Вычислите в кубическом кристалле угол между направле-
нием [ 101] и плоскостью, содержащей [121] и [111].
2.27. Запишите выражение для определения угла между направ-
лением [111] и плоскостью (110) тетрагонального кристалла с параметрами решетки a и c.
2.28. Запишите выражение для определения угла между направлением [110] и плоскостью (111) ромбического кристалла с параметрами решетки a, b и c.
2.29*. Вычислите угол между направлением [1010 ] и плоскостью (1120 ) гексагонального кристалла.
36
2.30*. Вычислите индексы оси зоны плоскостей, включающей
плоскости (1010 ) и (1120 ) гексагонального кристалла 2.31*. Определите направляющие углы и постройте на сте-
реографической проекции направления [1010 ] и [1121 ] и нор-
мали к плоскостям (1010 ) и (1121 ) гексагонального кристалла
α-Zr (a = 0,323 нм и c = 0,515 нм).
2.32*. Определите направляющие углы и постройте на стереографической проекции направления [ 101 ] и [ 112 ] и нор-
мали к плоскостям ( 101 ) и ( 112 ) ромбического кристалла α-U (a = 0,286 нм, b = 0,588 нм и c = 0,494 нм).
2.33*. Определите кристаллографические индексы направ-
лений [100], [ 011 ], [ 111 ] и плоскостей (100), ( 011 ), ( 111 ) по-
сле перехода от гранецентрированной решетки Браве к примитивной.
2.34*. Определите кристаллографические индексы направ-
лений [100], [ 011 ], [ 111 ] и плоскостей (100), ( 011 ), ( 111 ) по-
сле перехода от объемно-центрированной решетки Браве к примитивной.
3. СИММЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ
Симметрия кристаллического пространства определяется заданием всех преобразований, которые сохраняют расстояния между любыми точками пространства и приводят к совмещению пространства с самим собой. Элементы симметрии делят на закрытые и открытые. Открытые элементы симметрии содержат трансля-
ции и поэтому описывают симметрию бесконечного пространства. Закрытые элементы симметрии оставляют одну точку неподвижной и после конечного числа операций возвращают кристаллическое пространство в исходное положение. Закрытые элементы симметрии задаются матрицами ортогонального преобразования R с det R = ± 1. Они могут быть сведены к поворотным осям симмет-
рии (чистое или собственное вращение с det R = + 1) и к инверсионным осям (вращение с отражением в точке, лежащей на оси, или несобственное вращение с det R = − 1).
37
3.1. Поворотные оси симметрии
Осью симметрии называют прямую, при повороте вокруг которой на некоторый угол αn гомологические (эквивалентные) точки кристаллического пространства совмещаются. Угол поворота αn равен 360о/n, где n − целое число. Таким образом, через n поворотов в одном направлении на угол αn кристаллическое пространство возвращается в исходное положение. Наименьший угол поворота αn для данной оси симметрии называют элементарным углом оси симметрии, а n − порядком оси поворота.
Вкристаллическом пространстве возможны лишь повороты на углы равные 0, 60, 90, 120 и 180°, т.е. существуют оси симметрии первого, второго, третьего, четвертого и шестого порядков.
Отсутствие осей пятого порядка в трехмерном или 3D-пространстве связано с наличием в кристаллическом пространстве трансляционной симметрии. Оси пятого порядка появляются в 4D-пространстве.
Вкристаллах с ГЦК решеткой
осями второго порядка являются направления <110>, осями третьего порядка − <111>, осями четвертого порядка <100> (рис. 3.1).
Матрицы поворотных элементов симметрии. Компоненты матрицы поворотного элемента симметрии можно получить с использованием стандартной стереографической проекции. Если оси
системы координат xyz совпадают с направлениями [100], [010] и [001], то, как было показано, компонентами матрицы поворота будут индексы направлений <100> после поворота.
При повороте вокруг оси [100] на 90о против часовой стрелки, как показано на рис. 3.2, направление [100] остается на месте, а направления [010] и [001], перемещаясь по основному кругу проек-
ции, переходят в [001] и [01 0] соответственно.
38
Таким |
образом, |
компоненты |
|
|
|
|||||
матриц-столбцов |
C [100] – |
(100), |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
4 |
|
C [100] |
|
|
|
(001) и (0 |
|
0), и матрица |
|
|
|
|||||
1 |
|
|
|
|||||||
будет иметь вид |
|
|
4 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|||||
[100] |
|
1 |
0 |
0 |
|
|
|
|
||
= |
|
0 |
|
|
|
|
|
|||
C4 |
|
|
0 |
−1 . |
|
|
|
|||
|
|
|
|
0 |
1 |
0 |
|
|
|
|
Действительно, C4[100]− мат- |
|
|
|
|||||||
рица ортогонального преобра- |
|
|
|
|||||||
зования с det C4[100] |
= +1 – опи- |
Рис. 3.2. Траектории движения |
||||||||
сывает поворот на 90о, так как |
при поворотах вокруг [100], [1 |
1 |
1], |
|||||||
[011] в кубической сингонии |
||||||||||
tr C4[100] = = +1, вокруг [100], по-
скольку для λ = 1 собственным вектором матрицы C4[100] является
[100].
Точно так же при повороте вокруг [11 1] на 120о против часовой стрелки направление [100] переходит в [001], [01 0] − в [100], т.е.
[010]→[1 00], а [001]→[01 0]. Соответствующая матрица имеет вид
|
|
|
0 |
−1 |
0 |
[1 |
|
1] |
|
|
|
1 |
0 |
||||
C3 |
= 0 |
−1 . |
|||
|
|
|
1 |
0 |
0 |
Матрица C3[1 1 1] ортогонального преобразования с det C3[1 1 1] = +1 описывает поворот на 120°, так как tr C3[1 1 1] = 0, а собственным век-
тором матрицы C3[1 1 1] является [11 1].
При повороте вокруг [011] на 180о направление [100], будучи
перпендикулярным к [011], переходит в противоположное [1 00], а [010] →[001] и [001] →[010], и матрица имеет вид
[011] |
−1 |
0 |
0 |
|
|
0 |
1 |
|
|
C2 |
= 0 |
. |
||
|
0 |
1 |
0 |
|
39
3.2. Инверсионные оси
Кроме чистых вращений возможны также сочетания поворотных осей с отражением в лежащей на них точке. Подобные элементы симметрии называют инверсионными осями. Так как число поворотных осей ограничено (1, 2, 3, 4, 6), то инверсионные оси имеют тот же порядок и обозначаются 1, 2, 3, 4, 6 . Если отражение
происходит в точке, совпадающей с началом координат (центр инверсии), то матрица, описывающая это отражение, имеет вид
−1 |
0 |
0 |
|
|
|
i = |
0 |
−1 |
0 |
. |
(3.1) |
|
0 |
0 |
−1 |
|
|
Умножая эту матрицу на матрицу поворота, например вокруг оси ox, получаем матрицунесобственного(инверсионного) поворота
−1 |
0 |
0 |
|
|
Ri = iR = |
0 |
−cos α |
sin α . |
(3.2) |
|
0 |
−sin α |
−cosα |
|
Определитель этой матрицы det Ri = −1, а след матрицы инверсионного преобразования
tr Ri = −1 − 2 cos α. |
(3.3) |
Инверсионной оси 1 отвечает α = 0, эта ось эквивалентна центру инверсии. Для инверсионной оси второго порядка вдоль [100] соответствующая матрица, описывающая эту операцию, имеет вид
[100] |
−1 |
0 |
0 |
|
|
|
|
|
0 |
1 |
0 |
|
= m. |
(3.4) |
|
C2 |
i = |
|
|||||
|
|
0 |
0 |
1 |
|
|
|
Очевидно, что при этой операции любая точка зеркально отображается относительно плоскости yz. Таким образом, инверсион-
ная ось 2 эквивалентна плоскости зеркального отражения или
плоскости симметрии, обозначаемой буквой m (от слова «mirror» − зеркало), расположенной перпендикулярно к этой оси.
40